
Документация
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
У поставщика
ПроизводительYangjie
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 820 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 820 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 442 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,56 |
| от 581 | 1,33 |
| от 1 161 | 1,16 |
| от 3 000 | 1,03 |
| от 6 000 | 0,95 |
Описание
Транзистор биполярный PNP от Yangjie в компактном корпусе SOT-323. Работает при напряжении коллектор-эмиттер до -30 В и токе коллектора до 0,1 А, мощность рассеивания — 200 мВт. Отличается высоким коэффициентом усиления по току (от 420 до 800) и граничной частотой 100 МГц. Применяется в схемах усиления и коммутации в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Transistor |
| Маркировка | 3L |
| Корпус | SOT-323 |
| Материал | Epoxy UL-94 V-0 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Клеммы | Tin plated |
| Соответствие | RoHS, Halogen-free |
| Артикул | BC858CW |
| Выходная емкость | 4.5pF |
| Vbe saturation max | 1.1V |
| Vce saturation max | 0.65V |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Частота перехода | 100MHz |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 30V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 100nA |
| Макс. ток отсечки коллектора | 100nA |
| Описание (англ.) | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323 |
| Макс. напр. К-Э | 30V |
| Vbe saturation test conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Vce saturation test conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Условия hFE | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Output capacitance test conditions | VCB=-10V, f=1MHz |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Условия измерения fT | VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
Заметили ошибку в описании или параметрах?