+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC858CW
Документация

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Артикул:884679
У поставщика
ПроизводительYangjie
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 820 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 820 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 442 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,56
от 5811,33
от 1 1611,16
от 3 0001,03
от 6 0000,95
Описание

Транзистор биполярный PNP от Yangjie в компактном корпусе SOT-323. Работает при напряжении коллектор-эмиттер до -30 В и токе коллектора до 0,1 А, мощность рассеивания — 200 мВт. Отличается высоким коэффициентом усиления по току (от 420 до 800) и граничной частотой 100 МГц. Применяется в схемах усиления и коммутации в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипBipolar Transistor
Маркировка3L
КорпусSOT-323
МатериалEpoxy UL-94 V-0
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
КлеммыTin plated
СоответствиеRoHS, Halogen-free
АртикулBC858CW
Выходная емкость4.5pF
Vbe saturation max1.1V
Vce saturation max0.65V
Макс. коэф. усиления DC800
Hfe мин.420
Частота перехода100MHz
Макс. ток коллектора100mA
Макс. рассеиваемая мощность200mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база макс.6V
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.30V
Макс. ток отсечки эмиттера100nA
Макс. ток отсечки коллектора100nA
Описание (англ.)Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Макс. напр. К-Э30V
Vbe saturation test conditionsIC=-100mA, IB=-5mA
Vce saturation test conditionsIC=-100mA, IB=-5mA
Условия hFEVCE=-5V, IC=-2mA
Output capacitance test conditionsVCB=-10V, f=1MHz
Тепловое сопротивление переход-среда625°C/W
Условия измерения fTVCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz

Заметили ошибку в описании или параметрах?