Документация
BC858B, Биполярный транзистор PNP 30B 100мА 200мВт SOT-23
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
91 494 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:49 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 1 000 | 0,86 |
Склад 39
В наличии:42 494 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,63 |
| от 2 358 | 1,30 |
| от 3 966 | 1,13 |
| от 6 538 | 0,98 |
| от 10 825 | 0,88 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC858B от YJ (Yangjie) в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 30 В, ток до 100 мА и рассеивает мощность 200 мВт. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и компактных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | PNP Transistor |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Упаковка | 7" reel, 3000 pcs |
| Кол-во выводов | 3 |
| Покрытие выводов | Tin plated |
| Артикул | BC858B |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Код маркировки | 3K |
| Соотв. RoHS | Да |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Напряжение эмиттер-база | -6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-база | -30V |
| Dimensions approximate | 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1μA |
| Ток отсечки коллектора | -0.1μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -30V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Непрерывный ток коллектора | -0.1A |
| Выходная емкость коллектора | 4.5pF |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.1V |
| Условия hFE | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.65V |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 30 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 220 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?