+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC858B
Документация

BC858B, Биполярный транзистор PNP 30B 100мА 200мВт SOT-23

Артикул:1206958
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
49 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:49 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,04
от 1 0000,79
Технические характеристики
ТипPNP Transistor
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Упаковка7" reel, 3000 pcs
Кол-во выводов3
Покрытие выводовTin plated
АртикулBC858B
Без галогеновДа
ПроизводительYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Код маркировки3K
КорпусSOT-23-3
Соотв. RoHSДа
Рассеиваемая мощность200mW
СтруктураPNP
Макс. коэф. усиления DC475
Hfe мин.220
Класс горючестиUL 94 V-0
Напряжение эмиттер-база-6V
Темп. перехода150°C
Частота перехода100MHz
Напряжение коллектор-база-30V
Dimensions approximate2.9mm x 1.3mm x 1.0mm
Ток отсечки эмиттера-0.1μA
Ток отсечки коллектора-0.1μA
Напряжение коллектор-эмиттер-30V
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Уровень чувствительности к влаге1
Непрерывный ток коллектора-0.1A
Выходная емкость коллектора4.5pF
Напр. нас. база-эмиттер-1.1V
Условия hFEVCE=-5V, IC=-2mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.65V
Термосопротивление переход-среда625°C/W
Напр-е к-э (Uкэо макс),В30
Коэф-т передачи тока hfe 220
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1