Документация
BC858B, Биполярный транзистор SOT23
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
490 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:490 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 21000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 200 | 1,24 |
| от 2 000 | 1,23 |
Технические характеристики
| Тип | PNP bipolar transistor |
| C c typ | 4.5pF |
| F t min | 100MHz |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| I c max | 100mA |
| Корпус | SOT23 |
| T j max | 150°C |
| I bm max | 200mA |
| I cm max | 200mA |
| Тип монтажа | SMD |
| V be max | 750mV |
| V be min | 600mV |
| V be typ | 650mV |
| Компонент | BC858B |
| I cbo max | 15nA |
| I ebo max | 100nA |
| Lead span | 2.1-2.5mm |
| P tot max | 250mW |
| T amb max | 150°C |
| T amb min | -65°C |
| T stg max | 150°C |
| T stg min | -65°C |
| V cbo max | 30V |
| V ceo max | 30V |
| V ebo max | 5V |
| Шаг выводов | 1.9mm |
| R th ja typ | 500K/W |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure typ | 2dB |
| V besat typ 10mA | 700mV |
| V cesat max 10mA | 300mV |
| V cesat typ 10mA | 75mV |
| V besat typ 100mA | 850mV |
| V cesat max 100mA | 650mV |
| V cesat typ 100mA | 250mV |
| Структура | PNP |
| C c test conditions | V_CB=-10V, f=1MHz |
| F t test conditions | V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz |
| Hfe test conditions | I_C=-2mA, V_CE=-5V |
| I cbo high temp max | 4µA |
| V be test conditions | I_C=-2mA, V_CE=-5V |
| Ширина корпуса | 1.2-1.4mm |
| Высота корпуса | 0.9-1.1mm |
| Длина корпуса | 2.8-3.0mm |
| Noise figure test conditions | I_C=-200µA, V_CE=-5V, R_S=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 30 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 220 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |