Документация
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 112 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт0,86 ₽
Сумма860,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 112 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 1 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 860,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 440,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 000 шт · Склад 13 · 860,00 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC858B от Galaxy ME. Работает при напряжении до 30 В и токе до 0,1 А, коэффициент усиления — 200–450. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Макс. ток коллектора | -0.1A |
| Макс. Pc | 250mW |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Маркировка | 3K |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Условия поставки | 3000/Tape&Reel |
| VCBO макс. | -30V |
| Vceo макс. | -30V |
| Vebo макс. | -5V |
| Размеры | A: 2.85-2.95mm; B: 1.25-1.35mm; C: 1.0mm typical; D: 0.37-0.43mm; E: 0.35-0.48mm; G: 1.85-1.95mm; H: 0.02-0.1mm; J: 0.1mm typical; K: 2.35-2.45mm |
| Vbe sat typical | -1.1V (I_C=-100mA, I_B=-5mA) |
| Vce sat typical | -0.65V (I_C=-100mA, I_B=-5mA) |
| Условия измерения hFE | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Vce sat low current | -0.3V (I_C=-10mA, I_B=-0.5mA) |
| Частота перехода | 100MHz |
| Ёмкость коллектора | 4.5pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Условия измерения емкости | V_CB=-10V, f=1MHz |
| Диапазон темп. перехода | -65 to 150°C |
| Описание (англ.) | PNP 30В 0.1А Кус.=200-450 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?