
Документация
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.25Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 795 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 795 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 34 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 20,59 |
| от 100 | 18,49 |
| от 199 | 16,76 |
| от 398 | 15,43 |
| от 796 | 14,47 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC858B,215 от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 0,1 А и мощность 0,25 Вт в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Nf | 2dB to 10dB |
| C c | 4.5pF |
| F t | 100MHz |
| I c | -100mA |
| T j | 150°C |
| I bm | -200mA |
| I cm | -200mA |
| Тип | PNP |
| I cbo | -1nA to -15nA |
| I ebo | -100nA |
| P tot | 250mW |
| T amb | -65°C to 150°C |
| T stg | -65°C to 150°C |
| V cbo | -30V |
| V ceo | -30V |
| V ebo | -5V |
| V be 1 | -600mV to -750mV |
| V be 2 | -820mV |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Маркировка | 3K% |
| Корпус | SOT23 |
| R th ja | 500K/W |
| Aec q101 | qualified |
| Тип монтажа | SMD |
| V be sat 1 | -700mV |
| V be sat 2 | -850mV |
| V ce sat 1 | -75mV to -300mV |
| V ce sat 2 | -250mV to -650mV |
| Nf conditions | I_C=-200µA; V_CE=-5V; R_S=2kΩ; f=1kHz; B=200Hz |
| C c conditions | V_CB=-10V; I_E=0A; f=1MHz |
| F t conditions | V_CE=-5V; I_C=-10mA; f=100MHz |
| Hfe conditions | V_CE=-5V; I_C=-2mA |
| Npn complement | BC848B |
| I cbo high temp | -4µA |
| I cbo conditions | V_CB=-30V; I_E=0 |
| I ebo conditions | V_EB=-5V; I_C=0 |
| V be 1 conditions | V_CE=-5V; I_C=-2mA |
| V be 2 conditions | V_CE=-5V; I_C=-10mA |
| V be sat 1 conditions | I_C=-10mA; I_B=-0.5mA |
| V be sat 2 conditions | I_C=-100mA; I_B=-5mA |
| V ce sat 1 conditions | I_C=-10mA; I_B=-0.5mA |
| V ce sat 2 conditions | I_C=-100mA; I_B=-5mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| I cbo high temp conditions | V_CB=-30V; I_E=0; T_j=150°C |
| Описание (англ.) | PNP 30V 0.1A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?