+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC857SH6327
Документация

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт

Артикул:787658
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
1 861 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 861 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 354 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12,23
от 1521,96
от 2321,73
от 4631,59
от 9261,46
Описание

Биполярный PNP-транзистор от Infineon. Рабочее напряжение до 45 В, ток до 0,1 А, мощность рассеивания 0,15 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-363. Подходит для применения в автомобильной электронике.

Технические характеристики
ТипBipolar Transistor
Маркировка3Cs
КорпусSOT363
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Изоляцияgalvanic isolated
Без свинцаДа
Коэффициент шума10dB
Конфигурацияdual
КвалификацияAEC Q101
Соотв. RoHSДа
Ток коллектора100mA
Конфиг. выводов1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1
Макс. коэф. усиления DC630
Hfe мин.200
Коэффициент усиления DC тип.290
Темп. хранения-65...150°C
Напряжение эмиттер-база5V
Темп. перехода150°C
Частота перехода250MHz
Напряжение коллектор-база50V
Peak collector current200mA
Общая рассеиваемая мощность250mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Emitter base capacitance8pF
Напряжение коллектор-эмиттер45V
Ёмкость коллектор-база1.5pF
Base emitter voltage on max750mV
Base emitter voltage on min600mV
Base emitter voltage on typ650mV
Описание (англ.)PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Base emitter saturation voltage typ850mV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.650mV
Thermal resistance junction soldering point140K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?