+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC857C
Документация

BC857C, Биполярный транзистор 50В 0.1А 200мВт SOT-23

Артикул:1206955
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
1 400 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,04
от 1000,85
от 1 0000,81
Технические характеристики
ТипPNP Transistor
Маркировка3G
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
КомпонентBC857C
КорпусSOT-23-3
Соотв. RoHSДа
СтруктураPNP
Макс. коэф. усиления DC800
Hfe мин.420
Класс горючестиUL 94 V-0
Test conditions hfeVCE=-5V, IC=-2mA
Напряжение эмиттер-база-6V
Частота перехода100MHz
Напряжение коллектор-база-50V
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение коллектор-эмиттер-45V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Уровень чувствительности к влаге1
Мощн. коллектора200mW
Непрерывный ток коллектора-0.1A
Выходная емкость коллектора4.5pF
Напр. нас. база-эмиттер-1.1V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.65V
Термосопротивление переход-среда625°C/W
Напр-е к-э (Uкэо макс),В45
Коэф-т передачи тока hfe 420
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1