Документация
BC857C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 270244)
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
168 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:168 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,43 |
Описание
BC857C — биполярный PNP-транзистор от производителя TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для усиления и коммутации сигналов в низковольтных цепях. Отличается низким уровнем шума и подходит для применения в портативной электронике, аудиоусилителях и схемах управления.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Маркировка | BC857C |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: Max: 1.150mm; Min: 0.900mm; B: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; C: Max: 0.150mm; Min: 0.080mm; D: Max: 3.000mm; Min: 2.800mm; E: Typ: 0.950mm; L: Ref: 0.550mm; A1: Max: 0.100mm; Min: 0.000mm; A2: Max: 1.050mm; Min: 0.900mm; E1: Max: 2.000mm; Min: 1.800mm; L1: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип компонента | PNP Bipolar Junction Transistor |
| Конфиг. выводов | 1: Base, 2: Emitter, 3: Collector |
| Test condition ft | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=100MHz |
| Размеры упаковки | A max: 1.15mm; A min: 0.9mm; B max: 0.5mm; B min: 0.3mm; C max: 0.15mm; C min: 0.08mm; D max: 3.0mm; D min: 2.8mm; E max: 1.4mm; E min: 1.2mm; E typ: 0.95mm; L ref: 0.55mm; A1 max: 0.1mm; A1 min: 0mm; A2 max: 1.05mm; A2 min: 0.9mm; E1 max: 2.55mm; E1 min: 2.25mm; L1 max: 0.5mm; L1 min: 0.3mm; E1 max2: 2.0mm; E1 min2: 1.8mm; Theta range: 0° to 8° |
| Test condition cob | Vcb=-10V, f=1MHz |
| Test condition hfe | Vce=-5V, Ic=-2mA |
| Test conditions hfe | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Ток коллектора Ic | -0.1A |
| Test condition vbesat | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Test condition vcesat | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Collector capacitance cob | 4.5pF |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Vbe saturation voltage max | -1.1V |
| Vce saturation voltage max | -0.5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Junction temperature tj max | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Pк | 200mW |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbesat | -1.1V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |