Документация
BC857C SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 261943)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
330 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:330 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,37 |
Описание
Транзистор биполярный BC857C в корпусе SOT-23 от производителя RUME. Это кремниевый PNP-транзистор, предназначенный для работы в цепях общего назначения. Компонент широко применяется в схемах усиления, коммутации и управления слаботочными нагрузками.
Технические характеристики
| Ft | 100 MHz |
| Cob | 4.5 pF |
| Тип | Bipolar Junction Transistor |
| Макс. ток коллектора | -0.1A |
| Макс. Pc | 200mW |
| Макс. Tj | 150°C |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Макс. HFE | 800 |
| Мин. HFE | 420 |
| Корпус | SOT-23 |
| Icbo макс. | -0.1 μA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | -0.1 μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Применение | Switching and AF Amplifier |
| Артикул | BC857C |
| Vbe нас. макс. | -1.1V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V |
| Производитель | RUME |
| V br cbo min | -50V |
| V br ceo min | -45V |
| V br ebo min | -5V |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Cob condition | Vcb=-10V, f=1MHz |
| Hfe condition | Vce=-5V, Ic=-2mA |
| Артикул | 261943 |
| Device marking | 3G |
| Icbo condition | Vcb=-45V, Ie=0 |
| Iceo condition | Vce=-40V, Ib=0 |
| Iebo condition | Veb=-5V, Ic=0 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Ток коллектора | -0.1A |
| Конфиг. выводов | 1: Base, 2: Emitter, 3: Collector |
| Vbe sat condition | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Vce sat condition | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Collector capacitance | 4.5pF |
| Напряжение коллектор-база | -50V |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -45V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Мощн. коллектора | 200mW |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.1μA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | -0.1μA |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.1V |
| Условия hFE | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V |
| Collector capacitance test conditions | V_CB=-10V, f=1MHz |
| Emitter cutoff current test conditions | V_EB=-5V, I_C=0 |
| Base emitter saturation test conditions | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Collector emitter saturation test conditions | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Collector cutoff current icbo test conditions | V_CB=-45V, I_E=0 |
| Collector cutoff current iceo test conditions | V_CE=-40V, I_B=0 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?