Документация
BC857C, Биполярный транзистор PNP 45В 0.1А, 0.225Вт SOT-23(=LBC857CLT1G)
У поставщика
ПроизводительLRC
У поставщиков
2 000 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 300 | 0,76 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC857C от LRC в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 45 В и ток коллектора до 0,1 А при мощности 0,225 Вт, отличается низким уровнем шума (до 10 дБ) и высоким коэффициентом усиления (420–800). Подходит для коммутации сигналов и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Silicon Transistor |
| Маркировка | 3G |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Компонент | LBC857CLT1G (BC857C) |
| Коэффициент шума | 10 dB max |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Модель машины ЭСР | >400 V |
| Выходная емкость | 4.5 pF max |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 520 |
| Автомобильный | Да |
| ESD HBM | >4000 V |
| Макс. ток коллектора | -100 mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5.0 V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -50 V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Power dissipation fr5 derate | 1.8 mW/°C |
| Base emitter on voltage ic2ma | -0.6 to -0.75 V |
| Макс. напр. К-Э | -45 V |
| Base emitter on voltage ic10ma | -0.82 V max |
| Current gain bandwidth product | 100 MHz |
| Power dissipation fr5 board 25c | 225 mW |
| Collector cutoff current 25c max | -15 nA |
| Power dissipation alumina derate | 2.4 mW/°C |
| Collector cutoff current 150c max | -4.0 µA |
| Breakdown voltage emitter base min | -5.0 V |
| Breakdown voltage collector base min | -50 V |
| Base emitter saturation voltage ic10ma | -0.7 V typ |
| Base emitter saturation voltage ic100ma | -0.9 V typ |
| Breakdown voltage collector emitter min | -45 V |
| Power dissipation alumina substrate 25c | 300 mW |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 | 556 °C/W |
| Коэф-т передачи тока hfe | 420 |
| Collector emitter saturation voltage ic10ma | -0.3 V max |
| Collector emitter saturation voltage ic100ma | -0.65 V max |
| Thermal resistance junction to ambient alumina | 417 °C/W |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?