Документация
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
14 198 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,81 ₽
Сумма962,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии14 198 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 405 — 4,04 ₽ (−16%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 962,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 338,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 962,00 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC857BW,115 от NEXPERIA. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,1 А, выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для применения в бытовой электронике и схемах управления.
Технические характеристики
| Hfe | 220-475 at IC=-2mA, V_CE=-5V |
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Напряжение база-эмиттер | -600mV to -750mV, typ -650mV at IC=-2mA, V_CE=-5V; max -820mV at IC=-10mA, V_CE=-5V |
| Ток I CBO | -1nA typ, -15nA max at V_CB=-30V; -4μA max at V_CB=-30V, Tj=150°C |
| Iэбо | -100nA max at V_EB=-5V |
| Напряжение V(CBO) | -50V |
| Напряжение V(CEO) | -45V |
| Напряжение V(EBO) | -5V |
| Цоколевка | 1: основание; 2: эмиттер; 3: коллектор |
| Корпус | SOT323 (SC70) |
| Тип монтажа | SMD |
| V be sat | -700mV typ at IC=-10mA, IB=-0.5mA; -850mV typ at IC=-100mA, IB=-5mA |
| Напряжение насыщения Vce | -75mV typ, -300mV max at IC=-10mA, IB=-0.5mA; -250mV typ, -600mV max at IC=-100mA, IB=-5mA |
| I base peak | -200mA |
| Артикул | BC857BW,115 |
| Применение | General purpose switching and amplification |
| Код маркировки | 3F* |
| Коэффициент шума | 10dB max at IC=-200μA, V_CE=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| I collector dc | -100mA |
| I collector peak | -200mA |
| Комплементарный NPN | BC847W |
| Ёмкость эмиттера | 12pF max at V_EB=-0.5V, f=1MHz |
| P total dissipation | 200mW |
| Темп. хранения | -65°C to +150°C |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz min at V_CE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Ёмкость коллектора | 3pF max at V_CB=-10V, f=1MHz |
| Раб. температура | -65°C to +150°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | PNP 45V 0.1A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?