Документация
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 838 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 838 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 514 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,35 |
| от 363 | 1,17 |
| от 726 | 1,03 |
| от 1 452 | 0,91 |
| от 3 000 | 0,83 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC857BTT1G от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,1 А с мощностью 0,2 Вт. Выполнен в компактном корпусе SC-75 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации сигналов и усиления в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 3F |
| Корпус | SOT-416/SC-75 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Код корпуса | Case 463 |
| Без свинца | Да |
| Описание | General Purpose PNP Silicon Transistor |
| Артикул | BC857BTT1G |
| Производитель | onsemi |
| Корпус | SC-75 |
| Тип компонента | Bipolar Transistor |
| Предельные значения | Collector current peak: -200mAdc; Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Диап. темп. хр.: -55 to +150°C; Диапазон темп. перехода: -55 to +150°C; Напряжение коллектор-база Vcbo: -50V; Непрерывный ток коллектора: -100mAdc; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -45V |
| Размеры упаковки | Outline: SOT-416/SC-75, Case 463; Размеры мм: A: 0.70-0.90mm; D: 1.55-1.65mm; E: 0.70-0.90mm; L: 0.10-0.20mm; B: 0.15-0.30mm; C: 0.10-0.25mm; E: 1.00mm BSC; A1: 0.00-0.10mm; HE: 1.50-1.70mm; Размеры в дюймах: A: 0.027-0.035in; D: 0.059-0.067in; E: 0.027-0.035in; L: 0.004-0.008in; B: 0.006-0.012in; C: 0.004-0.010in; E: 0.040in BSC; A1: 0.000-0.004in; HE: 0.061-0.065in; Soldering footprint mm: C: 0.508mm; E: 1.000mm; X: 0.356mm; Y: 1.803mm; Z: 0.787mm |
| Ordering information | BC857BTT1G: 3,000 / Tape & Reel; NSVBC857BTT1G: 3,000 / Tape & Reel, AEC-Q101, Pb-Free |
| Тепл. хар-ки | Derate above 25 fr4 min pad: 1.6mW/°C; Power dissipation fr4 min pad: 200mW at TA=25°C; Derate above 25 fr4 1x1 in pad: 2.4mW/°C; Power dissipation fr4 1x1 in pad: 300mW at TA=25°C; Thermal resistance junction to ambient fr4 min pad: 600°C/W; Thermal resistance junction to ambient fr4 1x1 in pad: 400°C/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Noise figure nf: Max: 10dB; Conditions: IC=-0.2mA, VCE=-5V, RS=2kOhm, f=1kHz, BW=200Hz; Dc current gain hfe: At 2mA 5V: Max: 475; Min: 220; Typ: 290; Conditions: IC=-2mA, VCE=-5V; At 10uA 5V: Typ: 150; Conditions: IC=-10uA, VCE=-5V; Output capacitance cob: Max: 4.5pF; Conditions: VCB=-10V, f=1MHz; Напряжение насыщения база-эмиттер: At 2mA 5V: Max: -0.75V; Min: -0.6V; Conditions: IC=-2mA, VCE=-5V; At 10mA 5V: Max: -0.82V; Conditions: IC=-10mA, VCE=-5V; Ток отсечки коллектора Icbo: Max: -15nA; Conditions: VCB=-30V; Напряжение пробоя эмиттер-база: Min: -5.0V; Conditions: IE=-1.0uA; Напр. нас. база-эмиттер: At 100mA 5mA: Typ: -0.9V; Conditions: IC=-100mA, IB=-5mA; At 10mA 0.5mA: Typ: -0.7V; Conditions: IC=-10mA, IB=-0.5mA; Напряжение пробоя коллектор-база: Min: -50V; Conditions: IC=-10uA; Current gain bandwidth product fT: Min: 100MHz; Conditions: IC=-10mA, VCE=-5V, f=100MHz; Collector cutoff current icbo 150c: Max: -4.0uA; Conditions: VCB=-30V, TA=150°C; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: Min: -45V; Conditions: IC=-10mA; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: At 100mA 5mA: Max: -0.65V; Conditions: IC=-100mA, IB=-5mA; At 10mA 0.5mA: Max: -0.3V; Conditions: IC=-10mA, IB=-0.5mA; Collector emitter breakdown voltage ves: Min: -50V; Conditions: IC=-10uA, VEB=0 |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 45V 0.1A SC-75-3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?