Документация
Транзистор BC857BS
У поставщика
У поставщиков
11 031 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:11 031 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 232 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,99 |
| от 600 | 2,45 |
| от 1 199 | 2,01 |
| от 3 000 | 1,69 |
| от 6 000 | 1,50 |
Описание
Транзистор биполярный PNP от Yangjie в миниатюрном корпусе SOT-363 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении коллектор-эмиттер до -45 В и токе коллектора до -0,2 А, рассеивая мощность до 0,3 Вт. Отличается низким уровнем шума (2,5 дБ) и высоким коэффициентом усиления до 630. Подходит для усиления и коммутации в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 200MHz |
| Тип | биполярные |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -15nA |
| RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Vbe 2 | -0.82V |
| Макс. ток коллектора | -100mA |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Маркировка | 3F |
| Корпус | SOT-363 |
| Vbe max | -0.75V |
| Vbe min | -0.6V |
| Тип монтажа | SMD |
| Pc total | 300mW |
| Tj range | -55 to +150°C |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -50V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Компонент | BC857BS |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.3V |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.65V |
| Tstg range | -55 to +150°C |
| Описание | Dual PNP Small Signal Transistor |
| Вес ед. | 0.009g |
| Коэффициент шума | 2.5 dB |
| Packing code | F2 |
| Preferred pn | BC857BS |
| Способ поставки | 7" reel |
| Inner box pcs | 30000 |
| Коэф. усиления DC | 630 |
| Packing min pcs | 3000 |
| Мощность коллектора | 0.3 W |
| Тип транзистора | PNP |
| Outer carton pcs | 120000 |
| Покрытие выводов | Tin plated leads |
| Transistor count | 2 |
| Vbe 2 conditions | VCE=-5V, IC=-10mA |
| Ток коллектора | -0.2 A |
| Ft test conditions | VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Класс горючести | UL-94 V-0 |
| Hfe test conditions | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Vbe test conditions | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Icbo test conditions | VCB=-30V, IB=0 |
| Частота перехода | 200 MHz |
| Vce sat 1 conditions | IC=-10mA, IB=-0.5mA |
| Vce sat 2 conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Напряжение база-эмиттер 1 | -0.75 V |
| Напряжение база-эмиттер 2 | -0.82 V |
| Стандарт паяемости | J-STD-002 and JESD22-B102 |
| Напряжение коллектор-база | -50 V |
| Ток отсечки коллектора | -15 nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -45 V |
| Выходная емкость коллектора | 3.5 pF |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -50 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45 V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.3 V |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.65 V |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Темп. перехода и хранения (диапазон) | -55~+150 ℃ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?