+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC857B
Документация

BC857B, Биполярный транзистор 50B 0.1A 200мВт SOT-23 (=BC857BLT1G)

Артикул:1206949
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
5 400 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,04
от 1000,85
от 1 0000,82
Технические характеристики
ТипPNP transistor
Маркировка3F
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
АртикулBC857B
Без галогеновДа
КорпусSOT-23-3
Соотв. RoHSДа
Рассеиваемая мощность200mW
Размеры упаковкиШирина: 1.3mm; Высота: 1.0mm; Длина: 2.9mm; Шаг выводов: 0.95mm
СтруктураPNP
Макс. коэф. усиления DC475
Hfe мин.220
Класс горючестиUL-94 V-0
Частота перехода100MHz
Ток отсечки эмиттера-0.1μA
Ток отсечки коллектора-0.1μA
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение эмиттер-база макс.-6V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Уровень чувствительности к влаге1
Напряжение коллектор-база макс.-50V
Непрерывный ток коллектора-0.1A
Выходная емкость коллектора4.5pF
Напряжение коллектор-эмиттер макс.-45V
Напр. нас. база-эмиттер-1.1V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.65V
Термосопротивление переход-среда625°C/W
Напр-е к-э (Uкэо макс),В45
Коэф-т передачи тока hfe 220
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1