Документация
BC857B SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 270155)
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
63 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:63 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,43 |
Описание
BC857B — биполярный PNP-транзистор от производителя TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для применения в схемах коммутации и усиления сигналов общего назначения. Отличается низким напряжением насыщения и высокой надёжностью, что делает его востребованным в портативной и маломощной электронике.
Технические характеристики
| Ft | 100MHz |
| Cob | 4.5pF |
| Тип | PNP |
| Vcbo | -50V |
| Vceo | -45V |
| Vebo | -5V |
| Макс. ток коллектора | -0.1A |
| Макс. Pc | 200mW |
| Rth JA | 625°C/W |
| Макс. Tj | 150°C |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -65°C |
| Lead span | 1.8mm to 2.0mm |
| Шаг выводов | 0.95mm |
| Длина вывода | 0.3mm to 0.5mm |
| Vbe нас. макс. | -1.1V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5V |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Ft test conditions | VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Hfe test condition | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Размеры упаковки | A max: 1.150mm; A min: 0.900mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; L ref: 0.550mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; E typ: 0.950mm; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900mm; E1 max: 2.550mm; E1 min: 2.250mm; L1 max: 0.500mm; L1 min: 0.300mm; E1 max: 2.000mm; E1 min: 1.800mm; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Cob test conditions | VCB=-10V, f=1MHz |
| Hfe test conditions | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Ток коллектора Ic | -0.1A |
| Icbo test conditions | VCB=-45V, IE=0 |
| Iebo test conditions | VEB=-5V, IC=0 |
| Vbesat test conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Vcesat test conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Тепловое сопр. Rthja | 625°C/W |
| Collector capacitance cob | 4.5pF |
| Макс. ширина корпуса | 1.4mm |
| Мин. ширина корпуса | 1.2mm |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Dimensions body height max | 1.15mm |
| Dimensions body height min | 0.9mm |
| Макс. длина корпуса | 3.0mm |
| Мин. длина корпуса | 2.8mm |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Pк | 200mW |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Emitter cutoff current iebo max | -0.1μA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -50V |
| Collector cutoff current icbo max | -0.1μA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Base emitter saturation voltage vbesat max | -1.1V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |