Документация
BC857B SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 270269)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
90 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:90 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,40 |
Описание
BC857B — биполярный PNP-транзистор производства RUME в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для работы в цепях общего назначения, усиления и коммутации сигналов. Отличается низким уровнем шума и стабильными параметрами при малых токах. Подходит для поверхностного монтажа в компактных электронных устройствах.
Технические характеристики
| F t | 100MHz |
| I c | -0.1A |
| P c | 200mW |
| T j | 150°C |
| C ob | 4.5pF |
| Тип | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| V cbo | -50V |
| V ceo | -45V |
| V ebo | -5V |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Маркировка | 3F |
| Корпус | SOT-23 |
| H fe max | 475 |
| H fe min | 220 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| I cbo max | -0.1µA |
| I ceo max | -0.1µA |
| I ebo max | -0.1µA |
| T stg max | 150°C |
| T stg min | -65°C |
| V be sat max | -1.1V |
| V ce sat max | -0.5V |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| F t test conditions | V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz |
| C ob test conditions | V_CB=-10V, f=1MHz |
| H fe test conditions | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Макс. ток коллектора | -0.1A |
| I cbo test conditions | V_CB=-45V, I_E=0 |
| I ceo test conditions | V_CE=-40V, I_B=0 |
| I ebo test conditions | V_EB=-5V, I_C=0 |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| V be sat test conditions | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| V ce sat test conditions | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -50V |
| Emitter cutoff current max | -0.1µA |
| Макс. ток отсечки коллектора | -0.1µA |
| Transition frequency typical | 100MHz |
| Collector capacitance typical | 4.5pF |
| Макс. напр. К-Э | -45V |
| Условия hFE | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Мин. пробой эмиттер-база | -5V |
| Макс. Uбэ нас. | -1.1V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -50V |
| Collector emitter cutoff current max | -0.1µA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?