Документация
BC857B, Биполярный транзистор SOT23
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
140 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:140 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 25000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 200 | 1,02 |
| от 2 000 | 1,00 |
Технические характеристики
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Ibm max | 200mA |
| Icm max | 200mA |
| Корпус | SOT23 |
| Vbe max | 750mV |
| Vbe min | 600mV |
| Vbe typ | 650mV |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Макс. Ptot | 250mW |
| VCBO макс. | 50V |
| Vceo макс. | 45V |
| Vebo макс. | 5V |
| Размеры | 3.0mm x 1.4mm x 1.1mm (typical SOT23) |
| Vbesat typ | 700mV |
| Vcesat max | 300mV |
| Vcesat typ | 75mV |
| Rth j a typ | 500K/W |
| Код маркировки | 3F* |
| Vbe max high | 820mV |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Hfe condition | I_C = -2mA, V_CE = -5V |
| Vbe condition | I_C = -2mA, V_CE = -5V |
| Vbesat typ high | 850mV |
| Vcesat max high | 650mV |
| Vcesat typ high | 250mV |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure typ | 2dB |
| Vbesat condition | I_C = -10mA, I_B = -0.5mA |
| Vcesat condition | I_C = -10mA, I_B = -0.5mA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон температур хранения | -65 to +150°C |
| Vbe condition high | I_C = -10mA, V_CE = -5V |
| Структура | PNP |
| Vbesat condition high | I_C = -100mA, I_B = -5mA |
| Vcesat condition high | I_C = -100mA, I_B = -5mA |
| Noise figure condition | I_C = -200μA, V_CE = -5V, R_S = 2kΩ, f = 1kHz, B = 200Hz |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Collector capacitance typ | 4.5pF |
| Operating ambient temp range | -65 to +150°C |
| Transition frequency condition | V_CE = -5V, I_C = -10mA, f = 100MHz |
| Collector capacitance condition | V_CB = -10V, I_E = 0, f = 1MHz |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 220 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |