Документация
Транзистор BC857B
У поставщика
У поставщиков
261 899 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:201 420 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,75 |
Склад 39
В наличии:39 879 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,88 |
| от 3 875 | 0,70 |
| от 6 400 | 0,60 |
| от 10 650 | 0,52 |
| от 17 825 | 0,47 |
Склад 12
В наличии:20 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 300 | 0,54 |
| от 3 000 | 0,49 |
Склад 13
В наличии:600 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 562 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,23 |
| от 1 860 | 0,96 |
| от 3 000 | 0,76 |
| от 9 000 | 0,63 |
| от 15 000 | 0,55 |
Описание
Транзистор BC857B от HOTTECH — биполярный PNP-компонент в миниатюрном корпусе SOT-23. Усиление по постоянному току (hFE) находится в диапазоне 220–475. Подходит для коммутации и усиления сигналов в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100MHz |
| Ic | -100mA |
| Pc | 200mW |
| Tj | 150°C |
| Cob | 4.5pF |
| Тип | биполярные |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -0.1uA |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | -0.1uA |
| Reel | D: Ø178mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Допуск: ±1mm to ±2mm |
| Tstg | -55°C ~ +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Rth JA | 625°C/W |
| Вес | 0.008 grams |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| В упаковке | 3000 |
| Маркировка | 3F |
| Корпус | SOT-23 |
| Vbe sat | -1.1V |
| Особенности | surface mount, automatic insertion |
| Ранг hFE | BC857B |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -50V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -45V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Компонент | BC857B |
| Диапазон hFE | 220-475 |
| Tape reel | A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; W: 8.00mm; D: Ø1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; Допуск: ±0.1mm |
| Размеры | A: Max: 1.15; Min: 0.9; Единица: mm; D: Max: 3; Min: 2.8; Единица: mm; E: Max: 1.4; Min: 1.2; Единица: mm; L: Ref: 0.55; Единица: mm; B: Max: 0.5; Min: 0.3; Единица: mm; C: Max: 0.15; Min: 0.08; Единица: mm; E: Typ: 0.95; Единица: mm; A1: Max: 0.1; Min: 0; Единица: mm; A2: Max: 1.05; Min: 0.9; Единица: mm; E1: Max: 2.55; Min: 2.25; Единица: mm; L1: Max: 0.5; Min: 0.3; Единица: mm; E1: Max: 2; Min: 1.8; Единица: mm; Θ: Max: 8; Min: 0; Единица: ° |
| Описание | PNP Bipolar Transistor |
| Применение | switching, AF amplifier |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Комплементарный аналог | BC847 |
| Размеры мм | A: 0.900-1.150; D: 2.800-3.000; E: 1.200-1.400; L: 0.550REF; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.150; E: 0.950TYP; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050; E1: 2.250-2.550; L1: 0.300-0.500; E1: 1.800-2.000; Theta: 0°-8° |
| Ft conditions | VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Cob conditions | VCE=-10V, IE=0, f=1MHz |
| Hfe conditions | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Коэф. усиления DC | 220 475 |
| Dimensions inch | A: 0.035-0.045; D: 0.110-0.118; E: 0.047-0.055; L: 0.022REF; B: 0.012-0.020; C: 0.003-0.006; E: 0.037TYP; A1: 0.000-0.004; A2: 0.035-0.041; E1: 0.089-0.100; L1: 0.012-0.020; E1: 0.071-0.079; Theta: 0°-8° |
| Комплементарный к | BC847 |
| Ток коллектора | 100mA |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Vbe sat conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Vce sat conditions | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dc current gain condition | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Выходная емкость коллектора | 4.5pF |
| Output capacitance condition | V_CE=-10V, I_E=0, f=1MHz |
| Saturation voltage condition | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Transition frequency condition | V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.1V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 220 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?