Документация
Транзистор BC857B,215
У поставщика
У поставщиков
3 000 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,02 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:3 000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,02 |
Описание
Транзистор BC857B,215 от NEXPERIA — это PNP биполярный транзистор общего назначения. Выполнен в компактном SMD-корпусе SOT23, рассчитан на ток коллектора до -100 мА и напряжение до -750 мВ. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | { "e": "1.9mm", "v": "0.2mm", "w": "0.1mm", "e1": "0.95mm", "A_max": "1.1mm", "D_max": "3.0mm", "E_max": "1.4mm", "Q_max": "0.55mm", "c_max": "0.15mm", "A1_min": "0.1mm", "HE_max": "2.5mm", "Lp_max": "0.45mm", "bp_max": "0.48mm" } |
| Код маркировки | 3F* |
| Npn complement | BC847B |
| Noise figure max | 10dB |
| Peak base current | -200mA |
| Collector current dc | -100mA |
| Темп. перехода | 150°C |
| Noise figure typical | 2dB |
| Collector capacitance | 4.5pF |
| Peak collector current | -200mA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Base emitter voltage max | -750mV |
| Base emitter voltage min | -600mV |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Base emitter voltage typical | -650mV |
| Noise figure test conditions | Ic=-200μA, Vce=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Base emitter voltage max high | -820mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Условия hFE | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Base emitter voltage test conditions | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Transition frequency test conditions | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance test conditions | Vcb=-10V, f=1MHz |
| Термосопротивление переход-среда | 500 K/W |
| Base emitter saturation voltage typical | -700mV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -300mV |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -75mV |
| Base emitter voltage test conditions high | Ic=-10mA, Vce=-5V |
| Base emitter saturation voltage typical high | -850mV |
| Collector emitter saturation voltage max high | -650mV |
| Base emitter saturation voltage test conditions | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Base emitter saturation voltage test conditions high | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Collector emitter saturation voltage test conditions | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage test conditions high | Ic=-100mA, Ib=-5mA |