Документация
Транзистор BC857B.215
У поставщика
У поставщиков
10 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,03 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:10 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,03 |
Описание
Транзистор BC857B.215 от NEX-NXP — биполярный PNP-транзистор. Он рассчитан на напряжение до 45 В и ток до 100 мА, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для использования в усилителях, ключах и других схемах бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Тип | PNP transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Шаг выводов | 0.95mm |
| Код маркировки | 3F |
| Коэффициент шума | Max: 10dB; Typ: 2dB; Conditions: I_C=-200µA, V_CE=-5V, R_S=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Кол-во выводов | 3 |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure typ | 2dB |
| Макс. высота корпуса | 1.1mm |
| Package height min | 0.9mm |
| Dc current gain hFE | 220-475 at I_C=-2mA, V_CE=-5V |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Напряжение база-эмиттер | Max: -750mV; Min: -600mV; Typ: -650mV; Conditions: I_C=-2mA, V_CE=-5V |
| Base current peak max | -200mA |
| Collector capacitance | 4.5pF at V_CB=-10V, f=1MHz |
| Peak base current max | 200mA |
| Noise figure condition | Ic=-200µA, Vce=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| Package body width max | 1.4mm |
| Package body width min | 1.2mm |
| Package body length max | 3.0mm |
| Package body length min | 2.8mm |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. ток коллектора DC | 100mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Base emitter voltage high | Max: -820mV; Conditions: I_C=-10mA, V_CE=-5V |
| Collector capacitance typ | 4.5pF |
| Dc current gain condition | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Base emitter voltage max 1 | -750mV |
| Base emitter voltage max 2 | -820mV |
| Base emitter voltage typ 1 | -650mV |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Collector current peak max | -200mA |
| Peak collector current max | 200mA |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. напр. К-Э | 45V |
| Transition frequency condition | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=100MHz |
| Напр. нас. база-эмиттер | Typ: -700mV; Conditions: I_C=-10mA, I_B=-0.5mA |
| Collector capacitance condition | Vcb=-10V, f=1MHz |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | -100nA |
| Base emitter voltage condition 1 | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Base emitter voltage condition 2 | Ic=-10mA, Vce=-5V |
| Макс. ток отсечки К-Б | -15nA at V_CB=-30V, -4µA at Tj=150°C |
| Диапазон темп. окр. | -65 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500 K/W |
| Base emitter saturation voltage high | Typ: -850mV; Conditions: I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Max: -300mV; Typ: -75mV; Conditions: I_C=-10mA, I_B=-0.5mA |
| Base emitter saturation voltage typ 1 | -700mV |
| Base emitter saturation voltage typ 2 | -850mV |
| Collector base cutoff current max 25c | -15nA |
| Collector base cutoff current max 150c | -4µA |
| Collector emitter saturation voltage high | Max: -650mV; Typ: -250mV; Conditions: I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Collector emitter saturation voltage max 1 | -300mV |
| Collector emitter saturation voltage max 2 | -650mV |
| Collector emitter saturation voltage typ 1 | -75mV |
| Collector emitter saturation voltage typ 2 | -250mV |
| Base emitter saturation voltage condition 1 | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Base emitter saturation voltage condition 2 | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 500K/W |
| Collector emitter saturation voltage condition 1 | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage condition 2 | Ic=-100mA, Ib=-5mA |