Документация
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
7 030 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 030 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 686 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,01 |
| от 469 | 0,87 |
| от 937 | 0,77 |
| от 1 874 | 0,68 |
| от 3 000 | 0,62 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC857AW,115 от NEXPERIA. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,1 А с мощностью 0,2 Вт в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Cc | 3pF max |
| Ce | 12pF max |
| Граничная частота fT | 100MHz min |
| Ic | -100mA |
| Nf | 10dB max |
| Tj | 150°C |
| Ibm | -200mA |
| Icm | -200mA |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | -100nA max |
| Ptot | 200mW |
| Tamb | -65°C to +150°C |
| Tstg | -65°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -50V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -45V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Vbe 1 | -600mV min, -650mV typ, -750mV max |
| Vbe 2 | -820mV max |
| Icbo 1 | -1nA typ, -15nA max |
| Icbo 2 | -4µA max |
| Цоколевка | 1: base; 2: emitter; 3: collector |
| Rth JA | 625K/W |
| Макс. HFE | 250 |
| Мин. HFE | 125 |
| Корпус | SOT323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Vbesat 1 | -700mV typ |
| Vbesat 2 | -850mV typ |
| Vcesat 1 | -75mV typ, -300mV max |
| Vcesat 2 | -250mV typ, -600mV max |
| Компонент | BC857AW |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | PNP general purpose transistor |
| Код маркировки | 3E* |
| Cc conditions | VCB=-10V; IE=Ie=0; f=1MHz |
| Ce conditions | VEB=-0.5V; IC=Ic=0; f=1MHz |
| Ft conditions | VCE=-5V; IC=-10mA; f=100MHz |
| Nf conditions | IC=-200µA; VCE=-5V; RS=2kΩ; f=1kHz; B=200Hz |
| Iebo conditions | VEB=-5V; IC=0 |
| Vbe 1 conditions | IC=-2mA; VCE=-5V |
| Vbe 2 conditions | IC=-10mA; VCE=-5V |
| Icbo 1 conditions | VCB=-30V; IE=0 |
| Icbo 2 conditions | VCB=-30V; IE=0; Tj=150°C |
| Hfe test conditions | IC=-2mA; VCE=-5V |
| Vbesat 1 conditions | IC=-10mA; IB=-0.5mA |
| Vbesat 2 conditions | IC=-100mA; IB=-5mA |
| Vcesat 1 conditions | IC=-10mA; IB=-0.5mA |
| Vcesat 2 conditions | IC=-100mA; IB=-5mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 45V 0.1A SOT323 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?