+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Диод SMD BC856C

Артикул:149241
У поставщика
ПроизводительMERRYELC
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
У поставщиков
41 100 шт.
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
300 шт · Склад 2 · 375,00 ₽
Описание

Транзистор SMD BC856C от MERRYELC — это PNP-транзистор в миниатюрном корпусе SOT-23. Работает при токе коллектора до -100 мА и напряжении до -65 В, рассеивает до 200 мВт. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и портативных устройствах.

Технические характеристики
Граничная частота fT100MHz
Cob4.5pF
RthJA625°C/W
Макс. ток коллектора-100mA
Макс. Pc200mW
Макс. Tj150°C
Напряжение пробоя коллектор-база-80V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер-65V
Напряжение пробоя эмиттер-база-5V
Вес0.008g
Макс. HFE800
Мин. HFE420
Маркировка3C
КорпусSOT-23
Напряжение насыщения база-эмиттер-1.1V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5V
Ранг hFE856C
Icbo макс.-0.1uA
Макс. IEBO-0.1uA
VCBO макс.-80V
Vceo макс.-65V
Vebo макс.-5V
Диапазон hFE420-800
Рейтинг UL94V-0
АртикулBC856C
Материал корпусалитой пластик
Условия FtVCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz
Тип монтажаSMD
Условия COBVCE=-10V, IE=0, f=1MHz
Тип компонентаPNP Bipolar Transistor
Условия измерения hFEVCE=-5V, IC=-2mA
Комплементарный кBC846
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Условия напряжения насыщения база-эмиттерIC=-100mA, IB=-5mA
Условия измерения Vce насыщенияIC=-100mA, IB=-5mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?