+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзистор биполярный PNP, 65 В, 0.1 А, 0.45 Вт, SOT-323

Артикул:875224
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
У поставщиков
74 851 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 780,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 520,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 780,00 ₽
Описание

Транзистор биполярный PNP от HOTTECH. Работает при напряжении до 65 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания составляет 0,45 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для использования в бытовой электронике и схемах управления.

Технические характеристики
Граничная частота fT150MHz
Микросхема-100mA
Pc450mW
Температура перехода150°C
Cob5pF
Ток отсечки коллектор-база Icbo-0.1uA
КатушкаD: 178mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Допуск: ±1mm to ±2mm
Температура хранения-55°C ~ +150°C
ТипPNP Bipolar Transistor
Напряжение коллектор-база Vcbo-80V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo-65V
Напряжение эмиттер-база Vebo-5V
Rth JA833°C/W
Вес0.008g
Макс. HFE475
Мин. HFE220
Маркировка3B
КорпусSOT-323
Напряжение насыщения база-эмиттер-1.2V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.3V
Ранг hFE856BW
Тип монтажаSMD
Напряжение пробоя коллектор-база-80V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер-65V
Напряжение пробоя эмиттер-база-5V
КомпонентBC856BW
Диапазон hFE220-475
Лента-катушкаA: 2.25mm; B: 2.55mm; C: 1.19mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: 1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; Допуск: ±0.1mm
Материал корпусалитой пластик, UL 94V-0
Комплементарный аналогBC846
Размеры ммA: 0.900-1.100; D: 2.000-2.200; E: 1.150-1.350; Индуктивность: 0.525REF; B: 0.200-0.400; C: 0.080-0.150; E: 0.650TYP; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.000; E1: 2.150-2.450; L1: 0.260-0.460; E1: 1.200-1.400; Theta: 0°-8°
Условия FtVCE=-5V, IC=-10mA, f=30MHz
Условия COBVCB=-10V, f=1MHz
Условия измерения hFEVCE=-5V, IC=-1mA
Размеры, дюймыA: 0.035-0.043; D: 0.079-0.087; E: 0.045-0.053; Индуктивность: 0.021REF; B: 0.008-0.016; C: 0.003-0.006; E: 0.026TYP; A1: 0.000-0.004; A2: 0.035-0.039; E1: 0.085-0.096; L1: 0.010-0.018; E1: 0.047-0.055; Theta: 0°-8°
Условия напряжения насыщения база-эмиттерIC=-100mA, IB=-5mA
Условия измерения Vce насыщенияIC=-100mA, IB=-5mA
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Описание (англ.)PNP, 65 V, 0.1 A, 0.45 W, SOT-323

Заметили ошибку в описании или параметрах?