Документация
Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.2 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
147 621 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,40 ₽
Сумма720,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии147 621 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 1 945 — 1,98 ₽ (−17%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 720,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 580,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 720,00 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор BC856BW,115 от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 65 В, ток до 0,1 А при мощности 0,2 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для применения в бытовой электронике и схемах управления.
Технические характеристики
| Тип | PNP general purpose transistor |
| Цоколевка | Base: 1; Emitter: 2; Collector: 3 |
| Корпус | SOT323 (SC70) |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BC856BW,115 |
| Коэффициент шума | max 10dB at IC=-200uA, VCE=-5V, RS=2kohm, f=1kHz, BW=200Hz |
| Current base peak | -200mA |
| Ток коллектора | -100mA |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Коэффициент усиления по току hFE | 220-475 at IC=-2mA, VCE=-5V |
| Ёмкость эмиттера | max 12pF at VEB=-0.5V, f=1MHz |
| Темп. хранения | -65 to +150C |
| Напряжение база-эмиттер | -600 to -750mV (typ -650mV) at IC=-2mA, VCE=-5V; max -820mV at IC=-10mA, VCE=-5V |
| Частота перехода | min 100MHz at VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Ёмкость коллектора | max 3pF at VCB=-10V, f=1MHz |
| Пиковый ток коллектора | -200mA |
| Напряжение коллектор-база | -80V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -65V |
| Ток отсечки эмиттер-база | max -100nA at VEB=-5V, IC=0 |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 |
| Ток отсечки коллектор-база | max -15nA at VCB=-30V, IE=0; max -4uA at VCB=-30V, IE=0, Tj=150C |
| Темп. окр. среды | -65 to +150C |
| Напр. нас. база-эмиттер | typ -700mV at IC=-10mA, IB=-0.5mA; typ -850mV at IC=-100mA, IB=-5mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | typ -75mV max -300mV at IC=-10mA, IB=-0.5mA; typ -250mV max -600mV at IC=-100mA, IB=-5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?