+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC856BDW1T1G
Документация

Транзистор BC856BDW1T1G

Артикул:103261
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
Ед. изм.шт
У поставщиков
3 265 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 980,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 320,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 980,00 ₽
Описание

Транзистор BC856BDW1T1G от ON Semiconductor — это PNP-транзистор, предназначенный для работы в цепях общего назначения. Выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа, что обеспечивает экономию места на плате. Подходит для применения в схемах коммутации и усиления сигналов в бытовой и промышленной электронике.

Технические характеристики
КорпусSOT-363/SC-88
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Условия поставки3000 Units/Reel
Коэффициент шума10dB
КонфигурацияДвойной
Маркировка3B
Выходная емкость4.5pF
Ток коллектора Ic-100mA
Напряжение насыщения база-эмиттер-0.6V to -0.75V (at IC=-2mA, VCE=-5V), -0.82V max (at IC=-10mA, VCE=-5V)
Макс. коэффициент усиления по току475
Hfe мин.220
Тип. коэффициент усиления по току hFE, DC290
Рассеиваемая мощность общая380mW
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база Vebo-5.0V
Напряжение коллектор-база Vcbo-80V
Power dissipation per device250mW
Описание (англ.)PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo-65V
Граничная частота усиления100MHz
Напр. нас. база-эмиттер-0.7V (at IC=-10mA, IB=-0.5mA), -0.9V (at IC=-100mA, IB=-5mA)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.3V (at IC=-10mA, IB=-0.5mA), -0.65V (at IC=-100mA, IB=-5mA)
Диапазон температур перехода и хранения-55 to +150°C
Термосопротивление переход-среда328°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?