Документация
BC856B, Биполярный транзистор 80B 0.1А 200мВт SOT-23
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
249 418 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт2,84 ₽
Сумма568,00 ₽
В наличии249 416 шт
от 200 штюрлицам и ИП
от 1 300 — 2,30 ₽ (−19%)
200 шт · Склад 39 · 568,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор BC856B от YJ — PNP-транзистор в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 80 В, ток коллектора до 0,1 А и мощность 200 мВт, коэффициент усиления по току от 220 до 475. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Bipolar Junction Transistor |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 3B |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 1.3mm |
| Высота корпуса | 1.0mm |
| Длина корпуса | 2.9mm |
| Без галогенов | Да |
| Количество в катушке | 3000 |
| Название компонента | BC856B |
| Соотв. RoHS | Да |
| Структура | PNP |
| Условия испытания hFE | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Рейтинг горючести UL | UL 94 V-0 |
| Макс. коэффициент усиления по току | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Emitter base voltage bvebo | -6V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Collector base voltage bvcbo | -80V |
| Pк | 200mW |
| Непрерывный ток коллектора Ic | -0.1A |
| Collector emitter voltage bvceo | -65V |
| Выходная ёмкость коллектора Cob | 4.5pF |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat | -1.1V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 65 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 125 |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.65V |
| Тепловое сопр. переход-среда | 625°C/W |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?