+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

BC856B SOT-23 транзистор ZH (арт. 261946)

Артикул:737241
У поставщика
ПроизводительZH
У поставщиков
48 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:48 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,56
Описание

BC856B — биполярный PNP-транзистор производства ZH, выполненный в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для применения в схемах усиления и коммутации слаботочных сигналов. Отличается низким уровнем шума и стабильностью параметров в широком диапазоне температур. Подходит для поверхностного монтажа в компактных электронных устройствах.

Технические характеристики
F t100MHz
C ob4.5pF
ТипPNP
ТипБиполярный транзистор
Маркировка3B
КорпусSOT-23
H fe max475
H fe min220
Тип монтажаSMD
I cbo max-0.1μA
I ceo max-0.1μA
I ebo max-0.1μA
P c total200mW
V cbo max-80V
V ceo max-65V
V ebo max-5V
АртикулBC856B
V be sat max-1.1V
V br cbo min-80V
V br ceo min-65V
V br ebo min-5V
V ce sat max-0.5V
КорпусSOT-23
МонтажSMD
I c continuous-0.1A
Ток коллектора-0.1A
Рассеиваемая мощность200mW
Макс. коэф. усиления DC475
Hfe мин.220
C ob test conditionsV_CB=-10V, f=1MHz
Напряжение эмиттер-база-5V
H fe test conditionsV_CE=-5V, I_C=-2mA
Частота перехода100MHz
Collector capacitance4.5pF
Напряжение коллектор-база-80V
Макс. темп. перехода150°C
V be sat test conditionsI_C=-100mA, I_B=-5mA
V ce sat test conditionsI_C=-100mA, I_B=-5mA
Напряжение коллектор-эмиттер-65V
Диап. темп. хр.-65 to 150°C
Напр. нас. база-эмиттер-1.1V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5V

Заметили ошибку в описании или параметрах?