Документация
BC856B SOT-23 транзистор TRR (арт. 270077)
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
207 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:207 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,42 |
Описание
BC856B — биполярный PNP-транзистор от производителя TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для работы в цепях общего назначения, усиления и коммутации сигналов. Отличается низким уровнем шума и стабильными характеристиками при малых токах, что делает его подходящим для портативной и маломощной электроники.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Other | Hfe groups: A: 125-250; B: 220-475; C: 420-800; Complementary npn: BC846/BC847/BC848 |
| Цоколевка | 1=Base, 2=Emitter, 3=Collector |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Размеры | Lead pitch e: 0.950mm typical; Lead span e1: 1.800-2.000mm; Lead width b: 0.300-0.500mm; Body height a: 0.900-1.150mm; Body length d: 2.800-3.000mm; Body width e1: 2.250-2.550mm; Lead thickness c: 0.080-0.150mm |
| Артикул | BC856B |
| Производитель | TRR |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Артикул | 270077 |
| Предельные значения | Ток коллектора Ic: -0.1A; Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -65°C to +150°C; Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Напряжение коллектор-база Vcbo: -80V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -65V; Pк: 200mW; Тепловое сопротивление переход-среда: 625°C/W |
| Высота | 0.9-1.15mm |
| Test condition hfe | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Collector capacitance | 4.5pF |
| Ширина корпуса | 1.2-1.4mm |
| Max collector current | 100mA |
| Длина корпуса | 2.8-3.0mm |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1µA |
| Макс. коэффициент усиления по току | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Ток отсечки коллектора | 0.1µA |
| Max emitter base voltage | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Электрические характеристики | Dc current gain hfe: 220-475 (VCE=-5V, IC=-2mA); Граничная частота ft: 100MHz (VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz); Collector capacitance cob: 4.5pF (VCB=-10V, f=1MHz); Emitter cut off current iebo: -0.1μA (VEB=-5V); Collector cut off current icbo: -0.1μA (VCB=-70V); Emitter base breakdown voltage bvebo: -5V; Base emitter saturation voltage vbesat: -1.1V max (IC=-100mA, IB=-5mA); Collector base breakdown voltage bvceo: -80V; Collector emitter breakdown voltage bvceo: -65V; Напряжение насыщения КЭ: -0.5V max (IC=-100mA, IB=-5mA) |
| Max collector base voltage | 80V |
| Max collector emitter voltage | 65V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.1V |
| Max collector power dissipation | 200mW |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 65V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |