+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC856B SOT-23 транзистор SLKOR (арт. 291123)
Документация

BC856B SOT-23 транзистор SLKOR (арт. 291123)

Артикул:737239
У поставщика
ПроизводительSLKOR
У поставщиков
18 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:18 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,55
Описание

BC856B — это PNP-транзистор малой мощности в корпусе SOT-23 от производителя SLKOR. Компонент предназначен для работы в цепях общего назначения, усиления и коммутации сигналов. Отличается низким уровнем шума и стабильностью параметров в компактном исполнении. Подходит для поверхностного монтажа в портативной и промышленной электронике.

Технические характеристики
Cob4.5pF
F t100MHz
ТипPNP
Vcbo-80V
Vceo-65V
Vebo-5V
Макс. ток коллектора-0.1A
Макс. Pc200mW
Rth JA625°C/W
ТипBJT
Ток100 мА
Макс. HFE475
Мин. HFE220
КорпусSOT-23
Vbe sat-1.1V
Vce sat-0.5V
Icbo макс.-0.1μA
Макс. IEBO-0.1μA
Тип монтажаSMD
РазмерыA: Max: 1.150mm; Min: 0.900mm; D: Max: 3.000mm; Min: 2.800mm; E: Max: 1.400mm; Min: 1.200mm; L: Ref: 0.550mm; B: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; C: Max: 0.150mm; Min: 0.080mm; E: Typ: 0.950mm; A1: Max: 0.100mm; Min: 0.000mm; A2: Max: 1.050mm; Min: 0.900mm; E1: Max: 2.550mm; Min: 2.250mm; L1: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; E1: Max: 2.000mm; Min: 1.800mm; Θ: Max: 8°; Min: 0°
Шаг выводов0.95mm
АртикулBC856B
ПроизводительSLKOR
КорпусSOT-23
МонтажSMD
Мощность250 мВт
Макс. коэф. усиления DC475
Hfe мин.220
Темп. перехода150°C
Частота перехода100MHz
Collector capacitance4.5pF
Макс. высота1.15mm
Dimensions height min0.9mm
Max collector current-0.1A
Макс. рас. мощн.200mW
Макс. темп. перехода150°C
Max emitter base voltage-5V
Макс. ширина корпуса1.4mm
Мин. ширина корпуса1.2mm
Диап. темп. хр.Max: 150°C; Min: -65°C
Макс. длина корпуса3.0mm
Мин. длина корпуса2.8mm
Emitter cutoff current max-0.1μA
Max collector base voltage-80V
Макс. ток отсечки коллектора-0.1μA
Max collector emitter voltage-65V
Напряжение пробоя эмиттер-база-5V
Условия hFEVCE=-5V, IC=-2mA
Напряжение пробоя коллектор-база-80V
Макс. Uбэ нас.-1.1V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер-65V
Термосопротивление переход-среда625°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.-0.5V

Заметили ошибку в описании или параметрах?