Документация
Транзистор BC856B SOT-23
У поставщика
У поставщиков
63 000 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт0,61 ₽
Сумма1 830,00 ₽
до минимума склада не хватает 1 170,00 ₽
В наличии63 000 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 3 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 830,00 ₽, не хватает 1 170,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
3 000 шт · Склад 29 · 1 830,00 ₽
Описание
Транзистор BC856B от производителя HotTech — это биполярный PNP-транзистор, предназначенный для работы в цепях общего назначения. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-23, что делает его удобным для поверхностного монтажа. Подходит для применения в усилительных и переключающих схемах с низким уровнем шума.
Технические характеристики
| Тип | pnp |
| Выводы | 3 leads, solderable per MIL-STD-202 Method 208 |
| Вес | 0.008g |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Макс. HFE | 475 |
| Мин. HFE | 220 |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Производитель | HotTech (арт. 011196) |
| Код маркировки | 3B* |
| Материал корпуса | Пластик |
| Условия измерения hFE | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Макс. коэфф. шума | 10.0dB |
| Noise figure min | 2.0dB |
| Current base peak | 200mA |
| Комплементарная пара | BC846-BC848 |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Напряжение база-эмиттер | -600 to -750mV (Ic=-2mA, Uce=-5V) |
| Частота перехода | 100MHz (Uce=-5V, Ic=-10mA, f=100MHz) |
| Макс. импульсный ток базы | -200mA |
| Ёмкость коллектора | 4.5pF (Ucb=-10V, f=1MHz) |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Условия измерения коэфф. шума | Ic=-200µA, Vce=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, BW=200Hz |
| Макс. напряжение база-эмиттер | -750mV |
| Напряжение база-эмиттер мин. | -600mV |
| Тип. напряжение база-эмиттер | -650mV |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Емкость коллектора, тип. | 4.5pF |
| Saturation voltage be max | -700mV |
| Saturation voltage ce max | -300mV |
| Saturation voltage ce min | -75mV |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -80V |
| Макс. пиковый ток коллектора | -200mA |
| Напряжение коллектор-база макс. | 80V |
| Ток отсечки эмиттер-база | -100nA |
| Noise figure test condition | Ic=-200µA, Uce=-5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, BW=200Hz |
| Диап. раб. темп. | -65 to 150°C |
| Ток отсечки коллектор-база | -15nA |
| Макс. напр. К-Э | -65V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 65V |
| Условия измерения Uбэ | Ic=-2mA, Vce=-5V |
| Условия измерения коэфф. усиления | Ic=-2mA, Uce=-5V |
| Условия частоты перехода | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=100MHz |
| Условия измерения ёмкости коллектора | Vcb=-10V, Ie=0, f=1MHz |
| Макс. пост. ток коллектора | -100mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -700mV (Ic=-10mA, Ib=-0.5mA) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -850mV (Ic=-100mA, Ib=-5mA) |
| Saturation voltage be condition 1 | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Saturation voltage be condition 2 | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Saturation voltage ce condition 1 | Ic=-10mA, Ib=-0.5mA |
| Saturation voltage ce condition 2 | Ic=-100mA, Ib=-5mA |
| Collector base cutoff current 150C | -4µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500K/W |
| Base emitter voltage high current max | -820mV |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -75 to -300mV (Ic=-10mA, Ib=-0.5mA) |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -250 to -650mV (Ic=-100mA, Ib=-5mA) |
| Saturation voltage be high current max | -850mV |
| Saturation voltage ce high current max | -650mV |
| Saturation voltage ce high current min | -250mV |
| Collector base cutoff current high temp | -4µA (Ucb=-30V, Ie=0, Tj=150°C) |
| Base emitter voltage high current condition | Ic=-10mA, Vce=-5V |
Аналоги
- BC856B HOTTECH
- BC856B-(SOT-23) KLS
- BC856B SUNTAN
- BC856BKEEN SIDE
- 235 NXP/NEXPERIA
- BC856B OLI ELECTRONIC
Заметили ошибку в описании или параметрах?