Документация
Транзистор биполярный PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц,
У поставщика
ПроизводительMCC
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
18 997 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:18 996 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 462 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,50 |
| от 327 | 1,31 |
| от 654 | 1,16 |
| от 1 308 | 1,02 |
| от 3 000 | 0,93 |
Склад 39
В наличии:1 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,89 |
Описание
Транзистор биполярный PNP от MCC. Работает при напряжении до 65 В, токе до 0,1 А и мощности 0,25 Вт, частота переключения — 100 МГц. Выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | 3B |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Упаковка | Tape&Reel: 3Kpcs/Reel |
| Особенности | For Switching and AF Amplifier Applications, Halogen Free Green Device, Moisture Sensitivity Level 1, Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating, Lead Free Finish/RoHS Compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 2.80mm to 3.04mm; B: 2.10mm to 2.64mm; C: 1.20mm to 1.40mm; D: 0.85mm to 1.05mm; E: 1.70mm to 2.10mm; F: 0.45mm to 0.60mm; G: 0.01mm to 0.15mm; H: 0.90mm to 1.10mm; J: 0.08mm to 0.18mm; K: 0.35mm to 0.51mm; L: 0.20mm to 0.50mm |
| Артикул | BC856B |
| Тип компонента | PNP Small Signal Transistor |
| Входное сопротивление | 4.5KOhm |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure min | 2dB |
| Ток коллектора | -100mA |
| Output admittance | 30uS |
| Рассеиваемая мощность | 310mW |
| Макс. коэф. усиления DC | 475 |
| Hfe мин. | 220 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 290 |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Peak emitter current | -200mA |
| Напряжение коллектор-база | -80V |
| Noise figure condition | VCE=-5V, IC=-200uA, RS=2KOhm, f=1KHz, delta_f=200Hz |
| Peak collector current | -200mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение база-эмиттер | -750mV |
| Base emitter voltage min | -600mV |
| Base emitter voltage typ | -650mV |
| Ток отсечки коллектора | -15nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -65V |
| Dc current gain condition | VCE=-5Vdc, IC=-2mA |
| Small signal current gain | 330 |
| Диап. темп. хр. | -55C to +150C |
| Ёмкость коллектор-база | 3pF |
| Power dissipation condition | TS=50C |
| Suggested solder pad layout | Pad width: 0.800mm; Pad height: 0.900mm; Pad offset: 0.950mm; Pad spacing: 2.000mm |
| Описание (англ.) | PNP 65В 0.1А Кус.=200-450 |
| Условия измерения Uбэ | VCE=-5V, IC=-2mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Reverse voltage transfer ratio | 2e-4 |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -80V |
| Условия тока отсечки коллектора | VCB=-30V |
| Collector cutoff current high temp | -4uA |
| Current gain bandwidth product min | 100MHz |
| Current gain bandwidth product typ | 200MHz |
| Макс. Uбэ нас. | -700mV |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -65V |
| Collector base capacitance condition | VCB=-10V, f=1MHz |
| Диапазон темп. перехода | -55C to +150C |
| Base emitter voltage high current max | -820mV |
| Thermal resistance junction to solder | 320C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 403C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -300mV |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -75mV |
| Current gain bandwidth product condition | VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHz |
| Base emitter saturation voltage condition | IC=-10mA, IB=-0.5mA |
| Base emitter voltage high current condition | VCE=-5V, IC=-10mA |
| Collector cutoff current high temp condition | VCB=-30V, TA=150C |
| Условия напряжения насыщения КЭ | IC=-10mA, IB=-0.5mA |
| Base emitter saturation voltage high current max | -850mV |
| Collector emitter saturation voltage high current max | -650mV |
| Collector emitter saturation voltage high current min | -250mV |
| Base emitter saturation voltage high current condition | IC=-100mA, IB=-5mA |
| Collector emitter saturation voltage high current condition | IC=-100mA, IB=-5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?