+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC856B
Документация

BC856B, Биполярный транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц SOT-23 (=LBC856BLT1G)

Артикул:1206942
У поставщика
ПроизводительLRC
У поставщиков
2 600 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 600 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12,07
от 3000,76
Описание

Биполярный PNP транзистор BC856B от производителя LRC. Работает при напряжении до 65 В и токе до 100 мА, рассеиваемая мощность — 0,25 Вт. Выполнен в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23 с усилением от 220 до 475. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипPNP Silicon Transistor
Vcbo-80V
Vceo-65V
Vebo-5V
Pd fr5225mW
Макс. HFE475
Мин. HFE220
Hfe typ290
Маркировка3B
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Pd alumina300mW
Коэффициент шума10dB (max for LBC856 series)
КорпусSOT-23-3
Esd rating mm>400V
Hfe conditionIC=-2mA, VCE=-5V
Ic continuous100mA
Рейтинг ЭСР HBM>4000V
Соотв. RoHSДа
ОписаниеBipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,80V,220-475HFE
Выходная емкость4.5pF
СтруктураPNP
Автомобильныйwith S-prefix (S-LBC856BLT1G)
Частота перехода100MHz
Saturation voltage vce-0.3V max at IC=10mA, IB=0.5mA; -0.65V max at IC=100mA, IB=5mA
Ток отсечки коллектора-15nA max at VCB=30V
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Уровень чувствительности к влаге1
Диап. раб. темп.-55 to +150°C
Base emitter on voltage vbe on-0.6V to -0.75V at IC=2mA, VCE=5V
Collector cutoff current high temp-4µA max at VCB=30V, TA=150°C
Base emitter saturation voltage vbe sat-0.7V typ at IC=10mA, IB=0.5mA
Напр-е к-э (Uкэо макс),В65
Thermal resistance junction to ambient fr5556°C/W
Коэф-т передачи тока hfe 125
Thermal resistance junction to ambient alumina417°C/W
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Заметили ошибку в описании или параметрах?