Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / BC856B PANJIT, BC856B-(SOT-23) KLS, BC856B SUNTAN, BC856B,235 NXP/NEXPERIA, BC856B OLI ELECTRONIC, BC856B Diotec, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
156 377 шт.
Норм. уп.: 300
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт1,10 ₽
Сумма6,60 ₽
В наличии6 шт
от 6 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии128 001 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
продаётся от 500 штпри 500 — 1,53 ₽
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии28 000 шт
от 3 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 3 000 штпри 3 000 — 0,61 ₽
6 шт · Склад 39 · 6,60 ₽
Описание
Транзистор BC856B от HOTTECH — это PNP-транзистор в корпусе SOT-23. Он рассчитан на работу с напряжением до 80 В и током до 100 мА, коэффициент усиления по току (hFE) составляет 220–475. Подходит для использования в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Bipolar Transistor |
| Вес | 0.008g |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 2.8-3.0mm x 2.25-2.55mm x 0.9-1.15mm |
| Материал корпуса | литой пластик, UL 94V-0 |
| Лента и катушка | Размеры катушки: 7 inch diameter: D: 178mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Carrier tape dimensions: A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: 1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm |
| Коэф. усиления DC | 220 475 |
| Предельные значения | Ток коллектора: -100mA; Темп. хранения: -55~+150°C; Напряжение эмиттер-база: -5V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: -80V; Напряжение коллектор-эмиттер: -65V; Мощн. коллектора: 200mW; Термосопротивление переход-среда: 625°C/W |
| Комплементарный к | BC846 |
| Hfe rank marking | 3B |
| Комплементарная деталь | BC846 |
| Классификация hFE | Rank 856A: 125-250; Rank 856B: 220-475; Marking 856A: 3A; Marking 856B: 3B |
| Структура | PNP |
| Частота перехода | 100MHz |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Диапазон коэфф. усиления | 220-475 |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Условия усиления по току, DC | V_CE=-5V, I_C=-2mA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 80V |
| Электрические характеристики | Hfe1: 125-475; Частота перехода: 100MHz; Ток отсечки эмиттера: -0.1uA; Ток отсечки коллектора: -0.1uA; Выходная емкость коллектора: 4.5pF; Напряжение пробоя эмиттер-база: -5V; Напр. нас. база-эмиттер: -1.1V; Напряжение пробоя коллектор-база: -80V; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: -65V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -0.5V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 0.1µA |
| Макс. ток отсечки коллектора | 0.1µA |
| Выходная емкость коллектора | 4.5pF |
| Макс. напр. К-Э | 65V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5V |
| Условия частоты перехода | V_CE=-5V, I_C=-10mA, f=100MHz |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80V |
| Base emitter saturation condition | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Макс. Uбэ нас. | 1.1V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 65V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Условия насыщения коллектор-эмиттер | I_C=-100mA, I_B=-5mA |
| Collector output capacitance condition | V_CE=-10V, I_E=0, f=1MHz |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 65 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 125 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?