Документация
BC850CLT1G, Биполярный транзистор NPN 45В 0.1А 0.25Вт SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
1 900 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт1,37 ₽
Сумма1 370,00 ₽
В наличии1 900 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
1 000 шт · Склад 12 · 1 370,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор BC850CLT1G от ON Semiconductor. Выдерживает напряжение до 45 В, ток коллектора до 100 мА и мощность 0,25 Вт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, имеет низкий уровень шумов (4 дБ) и коэффициент усиления до 800. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип монтажа | SMD |
| Коэффициент шума | 4dB |
| Тип корпуса | SOT23 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
| Размеры упаковки | 3.0mm x 1.4mm x 1.1mm |
| Структура | NPN |
| Ёмкость эмиттера | 11pF |
| Частота перехода | 100MHz |
| Ёмкость коллектора | 2.5pF |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 580-660-700mV at 2mA/5V |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Dc current gain min typ max | 420-520-800 |
| Диап. раб. темп. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 700mV at 10mA/0.5mA, 900mV at 100mA/5mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90-250mV at 10mA/0.5mA, 200-600mV at 100mA/5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?