Документация
BC850CLT1G, Биполярный транзистор NPN 45В 0.1А 0.25Вт SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
1 900 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 100 | 1,38 |
| от 1 000 | 1,30 |
Технические характеристики
| Тип монтажа | SMD |
| Коэффициент шума | 4dB |
| Тип упаковки | SOT23 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Размеры упаковки | 3.0mm x 1.4mm x 1.1mm |
| Структура | NPN |
| Emitter capacitance | 11pF |
| Частота перехода | 100MHz |
| Collector capacitance | 2.5pF |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Peak collector current | 200mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 580-660-700mV at 2mA/5V |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Dc current gain min typ max | 420-520-800 |
| Диап. раб. темп. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 45V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 700mV at 10mA/0.5mA, 900mV at 100mA/5mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90-250mV at 10mA/0.5mA, 200-600mV at 100mA/5mA |