Документация
Транзистор BC849BLT1G
У поставщика
У поставщиков
1 371 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 371 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 510 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,36 |
| от 355 | 1,18 |
| от 710 | 1,04 |
| от 1 419 | 0,92 |
| от 3 000 | 0,83 |
Описание
Транзистор BC849BLT1G от ON Semiconductor — биполярный NPN-компонент. Работает при напряжении до 30 В и токе до 100 мА, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Корпус | 318 |
| Стиль | 6 |
| Серия | BC846ALT1G Series |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BC849BLT1G |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | NPN Silicon General Purpose Transistor |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Noise figure nf | 4.0dB |
| Модель машины ЭСР | >400V |
| AEC-Q101 | Да |
| Derate above 25c fr5 | 1.8mW/°C |
| ESD HBM | >4000V |
| Output capacitance cobo | 4.5pF |
| Derate above 25c alumina | 2.4mW/°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5.0V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Thermal resistance ja fr5 | 556°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 30V |
| Total device dissipation fr5 | 225mW |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 15nA |
| Thermal resistance ja alumina | 417°C/W |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 30V |
| Dc current gain hfe max ic 2ma | 450 |
| Dc current gain hfe min ic 2ma | 200 |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Dc current gain hfe min ic 10ua | — |
| Dc current gain hfe typ ic 10ua | 150 |
| Total device dissipation alumina | 300mW |
| Current gain bandwidth product ft | 100MHz |
| Base emitter voltage vbe on ic 2ma | 580mV to 700mV |
| Collector cutoff current icbo 150c | 5.0µA |
| Base emitter voltage vbe on ic 10ma | 770mV |
| Base emitter saturation vbe sat ic 10ma | 0.7V |
| Base emitter saturation vbe sat ic 100ma | 0.9V |
| Collector emitter saturation vce sat ic 10ma | 0.25V |
| Collector emitter saturation vce sat ic 100ma | 0.6V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?