Документация
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.2 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
6 703 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 703 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 632 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,28 |
| от 271 | 1,09 |
| от 375 | 0,96 |
| от 749 | 0,88 |
| от 1 497 | 0,82 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор BC848W,115 от NEXPERIA. Рабочее напряжение до 30 В, ток коллектора до 0,1 А, мощность рассеивания 0,2 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN general-purpose transistor |
| Корпус | SOT323 (SC-70) |
| Тип монтажа | SMD |
| Complement | BC858W |
| Код маркировки | 1M* |
| Корпус | SOT-323 |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure typ | 2dB |
| Ток коллектора | 100mA |
| Peak base current | 200mA |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Размеры упаковки | 2.0-2.2mm x 1.15-1.35mm (body); height 0.9-1.1mm |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 110 |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-база | 30V |
| Peak collector current | 200mA |
| Noise figure conditions | VCE=5V, IC=200µA, Rs=2kΩ, f=1kHz, BW=200Hz |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Base emitter voltage typ | 660mV (IC=2mA, VCE=5V) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Collector capacitance max | 3pF |
| Collector capacitance typ | 2.5pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 30V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Base emitter voltage range | 580mV to 700mV (IC=2mA, VCE=5V) |
| Dc current gain conditions | VCE=5V, IC=2mA |
| Диап. раб. темп. | -65°C to +150°C |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA (VEB=5V, IC=0) |
| Transition frequency conditions | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance conditions | VCB=10V, f=1MHz |
| Макс. ток отсечки К-Б | 15nA (VCB=30V, IE=0); 5µA (VCB=30V, IE=0, Tj=150°C) |
| Base emitter saturation voltage typ | 700mV (IC=10mA, IB=0.5mA); 900mV (IC=100mA, IB=5mA) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 250mV (IC=10mA, IB=0.5mA); 600mV (IC=100mA, IB=5mA) |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 90mV (IC=10mA, IB=0.5mA); 200mV (IC=100mA, IB=5mA) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?