Документация
BC847W
У поставщика
ПроизводительJSCJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
102 543 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:102 543 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,60 |
Описание
Транзистор NPN BC847W от JSCJ в компактном SMD-корпусе SOT-323. Выдерживает напряжение до 45 В и ток до 0,1 А, рассеивает мощность до 150 мВт. Подходит для автоматического монтажа. Используется в качестве ключа и усилителя звуковой частоты в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN transistor |
| Корпус | SOT-323 |
| Особенности | Ideally suited for automatic insertion |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | Switching and AF amplifier |
| Marking codes | BC847AW: 1E; BC847BW: 1F; BC847CW: 1G |
| Предельные значения | Напряжение эмиттер-база Vebo: 6V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 50V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 45V; Pк: 150mW; Диапазон температур хранения: -55 to 150°C; Collector current continuous ic: 0.1A; Operating junction temperature range tj: -55 to 150°C; Тепловое сопротивление переход-среда: 833°C/W |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT |
| Mechanical dimensions | Sot 323: A: 0.900-1.100mm; B: 0.200-0.400mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.000-2.200mm; E: 1.150-1.350mm; L: 0.525mm ref; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.000mm; E1: 2.150-2.450mm; L1: 0.260-0.460mm; Theta: 0°-8°; E pitch: 0.650mm typ; E1 pitch: 1.200-1.400mm |
| Электрические характеристики | Noise figure nf: Bc847cw: 4dB at same conditions; Bc847aw bc847bw: 10dB at VCE=5V, IC=0.2mA, f=1kHz, RS=2kΩ, BW=200Hz; Dc current gain hfe: Bc847aw: Vce 5v ic 2ma: 110 to 220; Vce 5v ic 10ua: 90 min; Bc847bw: Vce 5v ic 2ma: 200 to 450; Vce 5v ic 10ua: 150 min; Bc847cw: Vce 5v ic 2ma: 420 to 800; Vce 5v ic 10ua: 270 min; Граничная частота ft: 100 MHz at VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz; Base emitter on voltage vbeon: Vce 5v ic 2ma: 580 to 700mV; Vce 5v ic 10ma: 770mV; Ток отсечки коллектора Icbo: 15nA (max) at VCB=30V; Collector output capacitance cob: 4.5pF at VCB=10V, f=1MHz; Emitter base breakdown voltage vebo: 6V; Collector base breakdown voltage vcbo: 50V; Base emitter saturation voltage vbesat: Ic 100ma ib 5ma: 0.9V; Ic 10ma ib 0.5ma: 0.7V; Collector emitter breakdown voltage vceo: 45V; Напряжение насыщения КЭ: Ic 100ma ib 5ma: 0.6V; Ic 10ma ib 0.5ma: 0.25V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?