Документация
Транзистор BC847CLT1G
У поставщика
У поставщиков
60 865 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:60 865 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 296 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,35 |
| от 1 759 | 1,96 |
| от 3 000 | 1,68 |
| от 9 000 | 1,46 |
| от 15 000 | 1,36 |
Описание
Транзистор BC847CLT1G от ON Semiconductor — биполярный NPN-компонент. Он рассчитан на ток до 100 мА и напряжение до 45 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Bipolar Junction Transistor |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Без галогенов | Да |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Noise figure max | 10dB |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW |
| Макс. выходная емкость | 4.5pF |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Макс. пост. ток коллектора | 100mA |
| Dc current gain hfe at 2mA 5V max | 800 |
| Dc current gain hfe at 2mA 5V min | 420 |
| Dc current gain hfe at 2mA 5V typ | 520 |
| Dc current gain hfe at 10uA 5V min | 270 |
| Мин. пробой эмиттер-база | 6.0V |
| Collector cutoff current at 30V max | 15nA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Base emitter on voltage at 2mA 5V max | 700mV |
| Base emitter on voltage at 2mA 5V min | 580mV |
| Base emitter on voltage at 2mA 5V typ | 660mV |
| Base emitter on voltage at 10mA 5V max | 770mV |
| Термосопротивление переход-среда | 833°C/W |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45V |
| Collector cutoff current at 30V 150C max | 5µA |
| Base emitter saturation voltage at 100mA 5mA typ | 0.9V |
| Base emitter saturation voltage at 10mA 0.5mA typ | 0.7V |
| Collector emitter saturation voltage at 100mA 5mA max | 0.6V |
| Collector emitter saturation voltage at 10mA 0.5mA max | 0.25V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?