Документация
Транзистор BC847C SOT-23
У поставщика
У поставщиков
1 171 750 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 500 | 0,56 |
| от 1 000 | 0,53 |
| от 3 000 | 0,49 |
| от 6 000 | 0,46 |
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:1 171 750 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,41 |
Описание
Транзистор биполярный NPN BC847C от производителя TRR. Выполнен в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23, рассчитан на ток коллектора до 0,1 А и напряжение до 45 В. Отличается высоким коэффициентом усиления (от 420 до 800) и частотой переключения до 100 МГц. Подходит для применения в бытовой электронике, схемах коммутации и усилителях звуковой частоты.
Технические характеристики
| Тип | NPN general purpose transistor |
| Примечания | General purpose transistor for switching and AF amplifier applications |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Sot23 package: A: 2.70-3.10mm; B: 1.10-1.50mm; C: 0.90-1.10mm; D: 0.30-0.50mm; E: 0.35-0.48mm; G: 1.80-2.00mm; H: 0.02-0.10mm; J: 0.05-0.15mm; K: 2.20-2.60mm; Soldering footprint: Pad width: 0.80mm; Pad height: 0.90mm; Pad1 to pad2: 0.95mm; Pad2 to pad3: 0.95mm; Outer pad width: 2.00mm |
| Артикул | BC847C |
| Лента и катушка | standard SOT-23 tape and reel |
| Предельные значения | Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55~+150°C; Напряжение эмиттер-база Vebo: 6V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 50V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 45V; Pк: 200mW; Collector current continuous ic: 0.1A; Тепловое сопротивление переход-среда: 625°C/W |
| Условия теста | Ft: Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz; Cob: Vcb=10V, f=1MHz; Vbesat: Ic=100mA, Ib=5mA; Vcesat: Ic=100mA, Ib=5mA; Коэф. усиления DC: Vce=5V, Ic=2mA |
| Размеры упаковки | Шаг: 1.90mm (typical from G dimension); Width range: 1.10-1.50mm; Height range: 0.90-1.10mm; Length range: 2.70-3.10mm; Lead width range: 0.30-0.50mm; Lead length range: 0.35-0.48mm |
| Test condition hfe | VCE=5V, IC=2mA |
| Soldering footprint | Шаг: 0.95mm; Pad width: 0.80mm (typical); Pad length: 0.90mm (typical) |
| Макс. коэффициент усиления по току | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Collector current ic max | 0.1A |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Электрические характеристики | Dc current gain hfe: Max: 800; Min: 420; Conditions: Vce=5V, Ic=2mA; Граничная частота ft: 100MHz; Ток отсечки эмиттера Iebo: 0.1μA; Ток отсечки коллектора Icbo: 0.1μA; Collector output capacitance cob: 4.5pF; Emitter base breakdown voltage vebo: 6V; Collector base breakdown voltage vcbo: 50V; Base emitter saturation voltage vbesat: 1.1V; Collector emitter breakdown voltage vceo: 45V; Напряжение насыщения КЭ: 0.5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1µA |
| Junction temperature tj max | 150°C |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Pк | 200mW |
| Collector output capacitance cob | 4.5pF |
| Пробивное эмиттер-база | 6V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 50V |
| Base emitter saturation voltage vbesat max | 1.1V |
| Напряж. пробоя К-Э | 45V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |