Документация
BC847C SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 261942)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
99 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:99 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,39 |
Описание
BC847C — биполярный NPN-транзистор в миниатюрном корпусе SOT-23 от производителя RUME. Предназначен для применения в схемах усиления и коммутации сигналов малой мощности. Отличается высоким коэффициентом усиления по току (группа C) и стабильностью параметров в широком диапазоне температур. Часто используется в портативной электронике, аудиоусилителях и цепях управления.
Технические характеристики
| Тип | NPN silicon epitaxial transistor |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Артикул | BC847C |
| Производитель | RUME |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Noise figure max | 10dB |
| Complementary pnp | BC856...BC860 |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Тип. входная емкость | 9pF |
| Max collector current | 100mA |
| Noise figure condition | I_C=200µA, V_CE=5V, R_G=2kΩ, f=1kHz |
| Макс. выходная емкость | 6pF |
| Peak collector current | 200mA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Max emitter base voltage | 6V |
| Dc current gain condition | V_CE=5V, I_C=2mA |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Max collector base voltage | 50V |
| Base emitter on voltage max | 700mV |
| Base emitter on voltage min | 580mV |
| Input capacitance condition | V_EB=0.5V, f=1MHz |
| Макс. ток отсечки коллектора | 15nA |
| Output capacitance condition | V_CB=10V, f=1MHz |
| Base emitter on voltage max 2 | 720mV |
| Max collector emitter voltage | 45V |
| Collector cutoff current condition | V_CB=30V |
| Current gain bandwidth product typ | 300MHz |
| Base emitter on voltage condition 1 | I_C=2mA, V_CE=5V |
| Base emitter on voltage condition 2 | I_C=10mA, V_CE=5V |
| Current gain bandwidth product condition | V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Collector emitter saturation voltage max 1 | 250mV |
| Collector emitter saturation voltage max 2 | 600mV |
| Collector emitter saturation voltage condition 1 | I_C=10mA, I_B=0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage condition 2 | I_C=100mA, I_B=5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?