Документация
Транзистор BC847C
У поставщика
У поставщиков
50 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,43 |
| от 800 | 0,40 |
| от 2 000 | 0,39 |
| от 4 000 | 0,38 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,43 |
| от 800 | 0,40 |
| от 2 000 | 0,39 |
| от 4 000 | 0,38 |
Описание
Транзистор BC847C от MERRYELC — это NPN биполярный транзистор в компактном корпусе SOT-23. Работает при напряжении до 50 В и токе до 100 мА, с коэффициентом усиления от 420 до 800. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Ft | 100MHz |
| Cob | 4.5pF |
| Тип | NPN transistor |
| Vcbo | 50V |
| Vceo | 45V |
| Vebo | 6V |
| Мощность, Вт | 300 mW |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. Pc | 200mW |
| Rth JA | 625°C/W |
| Макс. Tj | 150°C |
| Ток, А | 100 mA |
| Макс. HFE | 800 |
| Мин. HFE | 420 |
| Маркировка | 1G |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение, В | 50 V |
| Icbo макс. | 100nA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 100nA |
| Макс. IEBO | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Компонент | BC847C |
| Vbe нас. макс. | 1.10V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.50V |
| V br cbo min | 50V |
| V br ceo min | 45V |
| V br ebo min | 6V |
| Complementary | BC857C |
| Ft test condition | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Вх. емкость | 9 pF |
| Cob test condition | VCB=10V, f=1MHz |
| Hfe test condition | VCE=5V, IC=2mA |
| Выходная емкость | 6 pF |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Icbo test condition | VCB=50V, IE=0 |
| Iceo test condition | VCE=45V, IB=0 |
| Iebo test condition | VEB=5V, IC=0 |
| Напряжение эмиттер-база | 6 V |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Напряжение коллектор-база | 50 V |
| Vbe sat test condition | IC=100mA, IB=5mA |
| Vce sat test condition | IC=100mA, IB=5mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 700 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45 V |
| Ток отсечки коллектор-база | 15 nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |