Документация
Транзистор BC847C
В наличии
На своём складе
3 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
91 447 шт.
Норм. уп.: 300
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,84 |
| от 800 | 0,78 |
| от 2 000 | 0,76 |
| от 4 000 | 0,75 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:100 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,84 |
| от 800 | 0,78 |
| от 2 000 | 0,76 |
| от 4 000 | 0,75 |
Склад 13
В наличии:89 686 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 664 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 3 000 | 0,82 |
| от 9 000 | 0,67 |
| от 15 000 | 0,56 |
| от 27 000 | 0,51 |
Склад 12
В наличии:1 300 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 300 | 0,67 |
| от 3 000 | 0,60 |
Склад 14
В наличии:361 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,48 |
Описание
Транзистор биполярный NPN BC847C от HOTTECH. Работает при напряжении до 45 В, токе до 100 мА и мощности 300 мВт, выпускается в корпусе SOT-23. Коэффициент усиления по току — от 420 до 800, граничная частота — 300 МГц. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Тип | NPN general-purpose transistor |
| Мощность, Вт | 300 mW |
| Nf max | 10dB |
| Nf typ | 2dB |
| Вес | 0.03 |
| C c max | 1.5pF |
| C e typ | 11pF |
| Ток, А | 100 mA |
| F t min | 100MHz |
| Макс. HFE | 800 |
| Мин. HFE | 420 |
| Hfe typ | 520 |
| I c max | 100mA |
| В упаковке | 3000 |
| Корпус | SOT23 |
| Напряжение, В | 50 V |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT-23 |
| I cm peak | 200mA |
| P tot max | 250mW |
| V cbo max | 50V |
| V ceo max | 45V |
| V ebo max | 6V |
| V be on max | 700mV |
| V be on min | 580mV |
| V be on typ | 660mV |
| Код маркировки | 1G* |
| V be sat typ | 700mV |
| V ce sat max | 200mV |
| V ce sat typ | 90mV |
| Nf conditions | Ic=200uA, Vce=5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| C c conditions | Vcb=10V, f=1MHz |
| C e conditions | Veb=0.5V, f=1MHz |
| F t conditions | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Pnp complement | BC857C |
| Серия продукта | BC847 series |
| Вх. емкость | 9 pF |
| AEC-Q101 | Да |
| Выходная емкость | 6 pF |
| V be on conditions | Ic=2mA, Vce=5V |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Hfe test conditions | Vce=5V, Ic=2mA |
| Описание корпуса | plastic surface-mounted package; 3 leads SOT23 |
| V be sat conditions | Ic=10mA, Ib=0.5mA |
| V ce sat conditions | Ic=10mA, Ib=0.5mA |
| Напряжение эмиттер-база | 6 V |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Напряжение коллектор-база | 50 V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 700 mV |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| V be on high current max | 770mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45 V |
| V be sat high current typ | 900mV |
| V ce sat high current max | 400mV |
| V ce sat high current typ | 200mV |
| Ток отсечки коллектор-база | 15 nA |
| V be on high current conditions | Ic=10mA, Vce=5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50 V |
| V be sat high current conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| V ce sat high current conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Operating temperature ambient max | 150°C |
| Operating temperature ambient min | -65°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |