Документация
Транзистор BC847C
В наличии
На своём складе
3 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
1 318 835 шт.
Норм. уп.: 300
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,97 |
| от 800 | 0,90 |
| от 2 000 | 0,88 |
| от 4 000 | 0,87 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:100 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,97 |
| от 800 | 0,90 |
| от 2 000 | 0,88 |
| от 4 000 | 0,87 |
Склад 39
В наличии:1 171 370 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,20 |
| от 3 000 | 0,95 |
| от 5 025 | 0,82 |
| от 8 300 | 0,71 |
| от 13 900 | 0,64 |
Склад 13
В наличии:147 349 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 542 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,28 |
| от 3 000 | 1,02 |
| от 6 000 | 0,84 |
| от 12 000 | 0,71 |
| от 24 000 | 0,66 |
Склад 12
В наличии:16 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 300 | 0,72 |
| от 3 000 | 0,66 |
Описание
Транзистор биполярный NPN BC847C от HOTTECH. Работает при напряжении до 45 В, токе до 100 мА и мощности 300 мВт, выпускается в корпусе SOT-23. Коэффициент усиления по току — от 420 до 800, граничная частота — 300 МГц. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN general-purpose transistor |
| Мощность, Вт | 300 |
| Nf max | 10dB |
| Nf typ | 2dB |
| Вес | 0.03 |
| C c max | 1.5pF |
| C e typ | 11pF |
| Ток, А | 0,1 |
| F t min | 100MHz |
| Макс. HFE | 800 |
| Мин. HFE | 420 |
| Hfe typ | 520 |
| I c max | 100mA |
| В упаковке | 3000 |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение, В | 50 |
| Тип монтажа | SMD |
| I cm peak | 200mA |
| P tot max | 250mW |
| V cbo max | 50V |
| V ceo max | 45V |
| V ebo max | 6V |
| V be on max | 700mV |
| V be on min | 580mV |
| V be on typ | 660mV |
| Применение | General-purpose switching and amplification |
| Код маркировки | 1G* |
| V be sat typ | 700mV |
| V ce sat max | 200mV |
| V ce sat typ | 90mV |
| Nf conditions | Ic=200uA, Vce=5V, Rs=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz |
| C c conditions | Vcb=10V, f=1MHz |
| C e conditions | Veb=0.5V, f=1MHz |
| F t conditions | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Pnp complement | BC857C |
| Серия продукта | BC847 series |
| Noise figure max | 10dB |
| Noise figure typ | 2dB |
| Вх. емкость | 9 pF |
| AEC-Q101 | Да |
| Выходная емкость | 6 pF |
| V be on conditions | Ic=2mA, Vce=5V |
| Структура | NPN |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 520 |
| Hfe test conditions | Vce=5V, Ic=2mA |
| Описание корпуса | plastic surface-mounted package; 3 leads SOT23 |
| V be sat conditions | Ic=10mA, Ib=0.5mA |
| V ce sat conditions | Ic=10mA, Ib=0.5mA |
| Напряжение эмиттер-база | 6 V |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Peak base current max | 100mA |
| Напряжение коллектор-база | 50 V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 700 mV |
| Emitter capacitance typ | 11pF |
| Макс. напряжение база-эмиттер | 700mV |
| Base emitter voltage min | 580mV |
| Base emitter voltage typ | 660mV |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| V be on high current max | 770mV |
| Диапазон темп. окр. | -65C to +150C |
| Collector capacitance max | 1.5pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45 V |
| Диап. темп. хр. | -65C to +150C |
| V be sat high current typ | 900mV |
| V ce sat high current max | 400mV |
| V ce sat high current typ | 200mV |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Peak collector current max | 200mA |
| Noise figure test conditions | Ic=200uA, Vce=5V, Rs=2kOhm, f=1kHz, B=200Hz |
| Ток отсечки коллектор-база | 15 nA |
| Макс. напр. К-Э | 45V |
| Total power dissipation sot23 | 250mW |
| Total power dissipation sot323 | 200mW |
| Total power dissipation sot416 | 150mW |
| Total power dissipation sot883 | 250mW |
| Условия hFE | Vce=5V, Ic=2mA |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA |
| V be on high current conditions | Ic=10mA, Vce=5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50 V |
| V be sat high current conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| V ce sat high current conditions | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 15nA |
| Operating temperature ambient max | 150°C |
| Operating temperature ambient min | -65°C |
| Base emitter saturation voltage typ | 700mV at Ic=10mA, Ib=0.5mA; 900mV at Ic=100mA, Ib=5mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45 V |
| Emitter capacitance test conditions | Veb=0.5V, Ic=0A, f=1MHz |
| Base emitter voltage test conditions | Ic=2mA, Vce=5V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Условия измерения fT | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance test conditions | Vcb=10V, Ie=0A, f=1MHz |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 200mV at Ic=10mA, Ib=0.5mA; 400mV at Ic=100mA, Ib=5mA |
| Коэф-т передачи тока hfe | 420 |
| Emitter base cutoff current test conditions | Veb=5V, Ic=0A |
| Thermal resistance junction to ambient sot23 | 500K/W |
| Collector base cutoff current test conditions | Vcb=30V, Ie=0A |
| Thermal resistance junction to ambient sot323 | 625K/W |
| Thermal resistance junction to ambient sot416 | 833K/W |
| Thermal resistance junction to ambient sot883 | 500K/W |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Тип транзистора | NPN |
Заметили ошибку в описании или параметрах?