Документация
Транзистор BC847BWT1G
У поставщика
У поставщиков
8 312 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,73 ₽
Сумма1 146,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии8 312 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 320 — 4,89 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 146,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 154,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 146,00 ₽
Описание
Транзистор BC847BWT1G от ON Semiconductor — это кремниевый NPN-биполярный транзистор малой мощности. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что делает его пригодным для компактных печатных плат. Предназначен для применения в схемах усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | 419 |
| Стиль | 3 |
| Серия | BC846, BC847, BC848 |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Компонент | BC847BWT1G |
| Описание | NPN Silicon General Purpose Transistor |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэффициент шума (NF) | 10dB |
| Автомобильный | AEC-Q101 |
| Темп. перехода Tj | -55°C to +150°C |
| Выходная ёмкость (Cobo) | 4.5pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Температура хранения | -55°C to +150°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6.0V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Total device dissipation pd | 200mW |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.1A |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 15nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 45V |
| Макс. коэфф. усиления hFE при IC 2 мА | 450 |
| Мин. коэфф. усиления hFE при IC 2 мА | 200 |
| Dc current gain hfe typ ic 2ma | 290 |
| Напряжение база-эмиттер VBE вкл. макс. | 700mV |
| Base emitter voltage vbe on min | 580mV |
| Base emitter voltage vbe on typ | 660mV |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Dc current gain hfe typ ic 10ua | 150 |
| Граничная частота усиления (ft) | 100MHz |
| Ток отсечки коллектора Icbo, 150 °C | 5.0µA |
| Пробивное эмиттер-база | 6.0V |
| Base emitter voltage vbe on max ic 10ma | 770mV |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 50V |
| Напряж. пробоя К-Э | 45V |
| Collector emitter breakdown voltage vbrces | 50V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat) | 0.25V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 620°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat ic 10ma | 0.7V |
| Base emitter saturation voltage vbe sat ic 100ma | 0.9V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?