Документация
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
У поставщика
ПроизводительFulihao Tech
У поставщиков
1 800 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 800 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 1 000 | 1,56 |
| от 10 000 | 1,41 |
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| Корпус | SOT-323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Угол: 0-8°; Высота: 0.9-1.1mm; Lead span: 1.2-1.4mm; Ширина корпуса: 1.15-1.35mm; Шаг выводов: 0.65mm typ; Ширина вывода: 0.2-0.4mm; Длина корпуса: 2.0-2.2mm; Длина вывода: 0.525mm ref; Общая ширина: 2.15-2.45mm; Lead thickness: 0.08-0.15mm; Lead foot length: 0.26-0.46mm |
| Применение | general purpose and switching |
| Код маркировки | 1F |
| Ток коллектора | 100mA |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Макс. коэф. усиления DC | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Напряжение база-эмиттер | 0.58-0.7V at V_CE=5V, I_C=2mA; max 0.77V at V_CE=5V, I_C=10mA |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | min 100MHz at V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Peak collector current | 200mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dc current gain condition | V_CE=5V, I_C=2mA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Emitter base cutoff current | max 100nA at V_EB=5V |
| Выходная емкость коллектора | max 4.5pF at V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz |
| Ток отсечки коллектор-база | max 15nA at V_CB=30V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | max 0.25V at I_C=10mA, I_B=0.5mA; max 0.6V at I_C=100mA, I_B=5mA |