Документация
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
6 854 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,59 ₽
Сумма1 118,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 854 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 338 — 4,76 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 118,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 182,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 118,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор от NEXPERIA. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,1 А, выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для применения в бытовой электронике и схемах управления.
Технические характеристики
| Тип | NPN general-purpose transistor |
| Корпус | SOT323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BC847BW |
| Код маркировки | 1F* |
| Коэффициент шума | 2dB typ, 10dB max (IC=200µA, VCE=5V, RS=2kΩ, f=1kHz, B=200Hz) |
| PNP-комплемент | BC857BW |
| Ток коллектора | 100mA |
| Пиковый ток базы | 100mA (single pulse, tp <= 1ms) |
| Ёмкость эмиттера | 11pF typ (VEB=0.5V, IC=ic=0A, f=1MHz) |
| Package common name | SC-70 |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Частота перехода | 100MHz min (VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz) |
| Ёмкость коллектора | 1.5pF max (VCB=10V, IE=ie=0A, f=1MHz) |
| Dc current gain group | B |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Пиковый ток коллектора | 200mA (single pulse, tp <= 1ms) |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW (Tamb <= 25°C, SOT323) |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Base emitter voltage low | 580mV min, 660mV typ, 700mV max (IC=2mA, VCE=5V) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Напряжение база-эмиттер, высокое | 770mV max (IC=10mA, VCE=5V) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Ток отсечки эмиттер-база | 100nA (VEB=5V, IC=0A) |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.1A SOT323 |
| Ток отсечки коллектор-база | 15nA (VCB=30V, IE=0A); 5µA (VCB=30V, IE=0A, Tj=150°C) |
| Dc current gain vce5v ic2ma max | 450 |
| Dc current gain vce5v ic2ma min | 200 |
| Dc current gain vce5v ic2ma typ | 290 |
| Dc current gain vce5v ic10ua typ | 150 |
| Base emitter saturation voltage low | 700mV typ (IC=10mA, IB=0.5mA) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, высокое | 900mV typ (IC=100mA, IB=5mA) |
| Термосопротивление переход-среда | 625 K/W |
| Collector emitter saturation voltage low | 90mV typ, 200mV max (IC=10mA, IB=0.5mA) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, высокое | 200mV typ, 400mV max (IC=100mA, IB=5mA) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?