+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC847BS
Документация

Транзистор BC847BS

Артикул:148565
В наличии
ПроизводительKEEN SIDE
Ед. изм.шт
На своём складе
2 439 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3000,68
от 8000,63
от 2 0000,61
от 4 0000,61
Описание

Транзистор BC847BS от KEEN SIDE — это сдвоенный NPN-биполярный транзистор в компактном SMD-корпусе SOT-363. Работает при напряжении коллектор-эмиттер до 45 В и токе до 0,1 А, коэффициент усиления по току составляет от 200 до 450. Подходит для применения в маломощных усилителях, коммутационных цепях и портативной электронике.

Технические характеристики
ТипBipolar Junction Transistor (NPN+NPN)
Маркировка1F
КорпусSOT-363
Тип монтажаSMD
Ток коллектора0.1 A
Рассеиваемая мощность200 mW
Макс. коэф. усиления DC450
Hfe мин.200
Темп. хранения-55-150 ℃
Напряжение эмиттер-база6 В
Темп. перехода150 ℃
Частота перехода100 MHz
Напряжение коллектор-база50 В
Макс. коэффициент усиления по току450
Hfe мин.200
Граничная частота ft100MHz
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение коллектор-эмиттер45 В
Напряжение эмиттер-база Vebo6V
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Напряжение коллектор-база Vcbo50V
Мощн. коллектора200mW
Ток отсечки эмиттера Iebo5µA
Непрерывный ток коллектора0.1A
Выходная емкость коллектора1.5 pF
Ток отсечки коллектора Icbo15nA
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo45V
Напряжение пробоя эмиттер-база6V
Напр. нас. база-эмиттер0.77V
Напряжение пробоя коллектор-база50V
Collector output capacitance cob1.5pF
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер45V
Напряжение насыщения КЭ 10.1V
Напряжение насыщения КЭ 20.3V