Документация
Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT23
У поставщика
ПроизводительMCC
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 412 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 412 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 334 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 253 | 1,82 |
| от 506 | 1,61 |
| от 1 011 | 1,43 |
| от 2 022 | 1,30 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор BC847B-TP от MCC. Работает при напряжении до 45 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 225 мВт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | BC846A thru BC849C |
| Корпус | SOT-23 |
| Упаковка | Tape&Reel; 3Kpcs/Reel |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 2.80mm to 3.04mm; B: 2.10mm to 2.64mm; C: 1.20mm to 1.40mm; D: 0.89mm to 1.03mm; E: 1.78mm to 2.05mm; F: 0.45mm to 0.60mm; G: 0.013mm to 0.100mm; H: 0.89mm to 1.12mm; J: 0.085mm to 0.180mm; K: 0.37mm to 0.51mm |
| Описание | NPN Bipolar Transistor |
| Артикул | BC847B-TP |
| Без галогенов | Available upon request with -HF suffix |
| Device marking | 1F, 47B |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. усиления DC | 200 to 450 |
| Тип транзистора | NPN |
| Lead free finish | Да |
| Ток коллектора | 0.1A |
| Рассеиваемая мощность | 0.225W |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Темп. хранения | -55C to +150C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Раб. температура | -55C to +150C |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1uAdc |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Ток отсечки коллектора | 0.1uAdc |
| Dc current gain condition | VCE=5V, IC=2mA |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Power dissipation condition | Tamb=25C, Note 1 |
| Suggested solder pad layout | Pad width: 0.800mm; Pad height: 0.900mm; Pad spacing: 2.000mm; Pad thickness: 0.031mm to 0.037mm |
| Ток отсечки коллектора CEO | 0.1uAdc |
| Описание (англ.) | NPN 45V 0.1A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Transition frequency condition | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.1V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 50V |
| Условия тока отсечки эмиттера | VEB=5V, IC=0mA |
| Условия тока отсечки коллектора | VCB=50V, IE=0 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 45V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Collector cutoff current ceo condition | VCE=45V, IB=0 |
| Emitter base breakdown voltage condition | IE=10uAdc, IC=0 |
| Base emitter saturation voltage condition | IC=100mA, IB=5mA |
| Collector base breakdown voltage condition | IC=10uAdc, IE=0 |
| Collector emitter breakdown voltage condition | IC=10mAdc, IB=0 |
| Условия напряжения насыщения КЭ | IC=100mA, IB=5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?