Документация
BC847B SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 270076)
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
162 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:162 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,43 |
Описание
BC847B — биполярный NPN-транзистор от производителя TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для усиления и коммутации сигналов в низковольтных цепях. Отличается низким уровнем шума и стабильными характеристиками, что делает его подходящим для аудиоусилителей, драйверов и портативной электроники.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип упаковки | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Test condition ft | Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Размеры упаковки | A: 2.70-3.10mm; B: 1.10-1.50mm; C: 0.90-1.10mm; D: 0.30-0.50mm; E: 0.35-0.48mm; G: 1.80-2.00mm; H: 0.02-0.10mm; J: 0.05-0.15mm; K: 2.20-2.60mm |
| Test condition cob | Vcb=10V, f=1MHz |
| Test condition hfe | Vce=5V, Ic=2mA |
| Макс. коэф. усиления DC | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Soldering footprint | 0.95mm pitch, 2.00mm width, 0.90mm pad length, 0.80mm pad width |
| Dimensions lead span | 1.80-2.00mm |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100MHz |
| Макс. ток коллектора | 0.1A |
| Ширина корпуса | 1.10-1.50mm |
| Dimensions lead width | 0.30-0.50mm |
| Test condition vbesat | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Test condition vcesat | Ic=100mA, Ib=5mA |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Высота корпуса | 0.90-1.10mm |
| Длина корпуса | 2.70-3.10mm |
| Dimensions lead height | 0.02-0.10mm |
| Dimensions lead offset | 0.05-0.15mm |
| Макс. коэффициент усиления по току | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dimensions lead thickness | 0.35-0.48mm |
| Габаритная длина | 2.20-2.60mm |
| Диап. темп. хр. | -55~+150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Непрерывный ток коллектора | 0.1A |
| Выходная емкость коллектора | 4.5pF |
| Макс. напр. К-Э | 45V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.1V |
| Макс. Pк | 200mW |
| Условия hFE | VCE=5V, IC=2mA |
| Макс. Uбэ нас. | 1.1V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Transition frequency test conditions | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V |
| Collector output capacitance test conditions | VCB=10V, f=1MHz |
| Base emitter saturation voltage test conditions | IC=100mA, IB=5mA |
| Collector emitter saturation voltage test conditions | IC=100mA, IB=5mA |