Документация
BC847B SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 261940)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
186 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:186 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,40 |
Описание
BC847B — биполярный NPN-транзистор производства RUME в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для усиления и коммутации сигналов в низковольтных цепях. Отличается низким уровнем шума и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для портативной и аудиоаппаратуры.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon Epitaxial Transistor |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Коэффициент шума | 10dB max at I_C=200µA, V_CE=5V, R_G=2kΩ, f=1kHz |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Noise figure max | 10dB |
| Ток коллектора | 100mA |
| Вх. емкость | 9pF typ at V_EB=0.5V, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Выходная емкость | 6pF max at V_CB=10V, f=1MHz |
| Complementary types | BC856...BC860 (PNP) |
| Макс. коэф. усиления DC | 450 |
| Hfe мин. | 200 |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Тип. входная емкость | 9pF |
| Напряжение коллектор-база | 50V |
| Макс. выходная емкость | 6pF |
| Peak collector current | 200mA |
| Noise figure conditions | I_C=200µA, V_CE=5V, R_G=2kΩ, f=1kHz |
| Ток отсечки коллектора | 15nA max at V_CB=30V |
| Base emitter on voltage 1 | 580-700mV at I_C=2mA, V_CE=5V |
| Base emitter on voltage 2 | 720mV max at I_C=10mA, V_CE=5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 45V |
| Dc current gain condition | V_CE=5V, I_C=2mA |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Dc current gain conditions | V_CE=5V, I_C=2mA |
| Base emitter on voltage max | 700mV |
| Base emitter on voltage min | 580mV |
| Base emitter on voltage max2 | 720mV |
| Макс. ток отсечки коллектора | 15nA |
| Input capacitance conditions | V_EB=0.5V, f=1MHz |
| Output capacitance conditions | V_CB=10V, f=1MHz |
| Current gain bandwidth product | 300MHz typ |
| Base emitter on voltage conditions | I_C=2mA, V_CE=5V |
| Current gain bandwidth product typ | 300MHz |
| Base emitter on voltage conditions2 | I_C=10mA, V_CE=5V |
| Collector cutoff current conditions | V_CB=30V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | 250mV max at I_C=10mA, I_B=0.5mA |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | 600mV max at I_C=100mA, I_B=5mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 250mV |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | — |
| Collector emitter saturation voltage max2 | 600mV |
| Current gain bandwidth product conditions | V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Collector emitter saturation voltage conditions | I_C=10mA, I_B=0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage conditions2 | I_C=100mA, I_B=5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?