+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BC847B
Документация

Транзистор BC847B

Артикул:155199
У поставщика
ПроизводительMERRYELC
Ед. изм.шт
У поставщиков
259 250 шт.
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,29
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:259 250 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,29
Описание

Транзистор BC847B от MERRYELC — биполярный NPN-компонент в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 50 В, токе до 100 мА и рассеивает до 300 мВт, с граничной частотой 300 МГц. Подходит для коммутации и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN transistor
Мощность, Вт300 mW
Ток, А100 mA
Маркировка1F
КорпусSOT-23
Напряжение, В50 V
Тип монтажаSMD
Ft test conditionVce=5V, Ic=10mA, f=100MHz
Вх. емкость9 pF
Cob test conditionVcb=10V, f=1MHz
Complementary pairBC857B
Hfe test conditionVce=5V, Ic=2mA
Выходная емкость6 pF
Макс. коэф. усиления DC450
Hfe мин.200
Ток коллектора Ic100mA
Напряжение эмиттер-база6 V
Power dissipation pc200mW
Частота перехода300 MHz
Vbesat test conditionIc=100mA, Ib=5mA
Vcesat test conditionIc=100mA, Ib=5mA
Напряжение коллектор-база50 V
Напряжение насыщения база-эмиттер700 mV
Макс. коэффициент усиления по току450
Hfe мин.200
Темп. перехода Tj150°C
Граничная частота ft100MHz
Тепловое сопр. Rthja625°C/W
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Напряжение эмиттер-база Vebo6V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-база Vcbo50V
Ток отсечки коллектор-база15 nA
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo45V
Напряжение пробоя коллектор-база50 V
Collector output capacitance cob4.5pF
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Base emitter saturation voltage vbesat1.1V
Напряжение насыщения КЭ0.5V